异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60476007
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    22.0万
  • 负责人：
    张义门
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
  • 学科分类：
    F0401.半导体材料
  • 结题年份：
    2007
  • 批准年份：
    2004
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2005-01-01 至2007-12-31

项目摘要

SiC是一种新型的半导体材料，由于它具有优异的物理和化学性能，所以在高频、高温、高功率和高抗辐照的器件和集成电路中有着很好的应用前景。但是目前国际上多采用的是常规MOSFET的结构，存在着沟道载流子迁移率和跨导低的问题，源漏区需要离子注入和高温退火，工艺难度大。特别是常规的结构很难研制出性能良好的SiC PMOSFET。本项目提出一种新颖的结构，用异质结源漏代替常规MOSFET的PN结源漏，克服了源漏需要离子注入工艺，工艺简单，而且不会因引起二次缺陷，有利于克服侧墙问题和常规结构中的源漏串联电阻对器件带来的不利影响

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
4H-SiC 隐埋沟道MOSFET亚阈特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    功能材料与器件学报，Vol.12，No.2, 2006，130-134
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    郜锦侠;张义门;张玉明;汤晓燕
  • 通讯作者：
    汤晓燕
6H-SiC Schottky Barrier Source
6H-SiC肖特基势垒源
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Tang Xiao-yan, Zhang Yi-men, Z
  • 通讯作者：
    Tang Xiao-yan, Zhang Yi-men, Z
n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    半导体学报 2006年12月，27卷，增刊：239-241
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张林;张义门;张玉明;汤晓燕
  • 通讯作者：
    汤晓燕
N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    西安电子科技大学学报，已录
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    郭辉;张义门;张玉明;汤晓燕
  • 通讯作者：
    汤晓燕
6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    电子器件,2006，29卷，第4期：1019－1022
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张林;张义门;张玉明;汤晓燕
  • 通讯作者：
    汤晓燕

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其他文献

Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode
4H-SiC结势垒肖特基二极管的制备及特性
  • DOI：
    10.1088/1674-4926/32/6/064003
  • 发表时间：
    2011-06
  • 期刊：
    半导体学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈丰平;张玉明;吕红亮;张义门;郭辉;郭鑫
  • 通讯作者：
    郭鑫
Electrical and optical charact
电学、光学特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王超*;张义门;张玉明
  • 通讯作者：
    张玉明
4H-SiC钒离子注入层的特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    半导体学报，27(增刊)，120-123，2006年12月 ( EI )
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王超*;张玉明;张义门
  • 通讯作者：
    张义门
XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光谱学与光谱分析
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张玉明;郭辉;张义门;贾仁需
  • 通讯作者：
    贾仁需
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光谱学与光谱分析
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张玉明;苗瑞霞;汤晓燕;张义门
  • 通讯作者：
    张义门

其他文献

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张义门的其他基金

一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究
  • 批准号：
    60276047
  • 批准年份：
    2002
  • 资助金额：
    7.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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