基于纳米硅结构的硅基光电集成材料的可控光发射研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60508009
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:24.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0509.光学和光电子材料
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:陈坤基; 李伟; 陈三; 钱波; 韩培高; 刘艳松;
- 关键词:
项目摘要
近年来纳米硅的发光为硅基光电集成提供了新途径,如何有效地提高纳米硅的发光效率?本项目立足于与当前微电子工艺相兼容的技术手段,在超薄非晶Si层激光诱导限制晶化技术的基础上,制备出三维均匀分布的纳米硅量子点列阵。根据一维光子晶体的设计原理和多层膜的生长技术,设计和制备镶嵌有纳米硅量子点的全硅基的光学微腔:研究在全硅基光学微腔中纳米硅量子点的发射机理并控制发光峰位置,谱峰宽度。探索制备能在室温下工作的光泵浦和电泵浦硅基光发射器件的可能性,为实现硅基光电集成打下基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
FabriFabrication of silicon nanoarrays by direct nanosphere lithography
Fabri通过直接纳米球光刻法制造硅纳米阵列
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Strong green-yellow electroluminescence from oxidized amorphous silicon nitride light-emitting devices
氧化非晶氮化硅发光器件的强绿黄电致发光
- DOI:10.1063/1.2711196
- 发表时间:2007-02-26
- 期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
- 影响因子:4
- 作者:Huang, Rui;Chen, Kunji;Huang, Xinfan
- 通讯作者:Huang, Xinfan
Intermediate phase silicon structure induced enhancement of photoluminescence from thermal annealed a-Si/SiO2 multilayers
中间相硅结构诱导热退火 a-Si/SiO2 多层光致发光增强
- DOI:10.1088/0957-4484/18/25/255703
- 发表时间:2007-06
- 期刊:Nanotechnology
- 影响因子:3.5
- 作者:
- 通讯作者:
Photonic quantum dots based on Bragg reflectors grown by conformal deposition on patterned substrates
基于布拉格反射器的光子量子点,通过在图案基底上的共形沉积生长
- DOI:10.1016/j.apsusc.2007.12.033
- 发表时间:2008-04
- 期刊:Applied Surface Science
- 影响因子:6.7
- 作者:
- 通讯作者:
Oxygen induced strong green light emission from low-temperature grown amorphous silicon nitride films
低温生长的非晶氮化硅薄膜的氧诱导强绿光发射
- DOI:10.1063/1.2399393
- 发表时间:2006-11-27
- 期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
- 影响因子:4
- 作者:Huang, Rui;Chen, Kunji;Huang, Xinfan
- 通讯作者:Huang, Xinfan
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- 通讯作者:郝娜娜
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- 发表时间:--
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- 通讯作者:王旦清
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- DOI:--
- 发表时间:--
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- DOI:--
- 发表时间:--
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- 影响因子:--
- 作者:黄信凡;王久敏;宋捷;余林蔚;马忠元;陈坤基;李伟
- 通讯作者:李伟
其他文献
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