低驱动GaAsSb应变基区双异质结双极晶体管分子束外延材料特性的研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    50572120
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    27.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份:
    2008
  • 批准年份:
    2005
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2006-01-01 至2008-12-31
  • 项目参与者:
    李志华; 刘林生; 吴曙东;
  • 关键词:

项目摘要

在GaAs衬底上,在GaAsSb的临界厚度内研究以GaAsSb为基区的AlGaAs/GaAsSb/AlGaAs双异质结双极晶体管的分子束外延材料的生长特性,研究As和Sb的耦合机理及不同组分的GaAsSb生长特性,研究P型Be在基区GaAsSb中的扩散行为,同时研究抑制Be向发射极和收集极的扩散,生长出As终止的界面以抑制Sb和As原子在界面的交换以获得界面突变的异质结,生长出高质量的HBT外延材料,研究材料结构对HBT器件的影响,为低功耗高频晶体管的应用打下坚实的基础。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb on GaAs grown by MBE
MBE生长GaAs上生长参数对InAsSb晶体质量的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
Buffer influence on InAs/AlSb quantum wells
缓冲对 InAs/AlSb 量子阱的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
As保护下生长中断对InAs/AlSb超晶格界面粗糙度的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    李志华 王文新* 刘林生 蒋中伟 高汉超 周均铭
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
Growth, antimony incorporation behavior and Beryllium doping of GaAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
通过分子束外延在 GaAs 上生长的 GaAsSb 的生长、锑掺入行为和铍掺杂
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:

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其他文献

一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
    Acta Physica Sinica
  • 影响因子:
    1
  • 作者:
    丁芃;贾海强;周均铭;陈弘
  • 通讯作者:
    陈弘
Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
金属有机化学气相沉积法在 r 面蓝宝石衬底上生长 a 面 GaN 薄膜
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    李东升;陈弘;于洪波;郑新和;黄绮;周均铭
  • 通讯作者:
    周均铭
Incorporation Behaviour of Arsenic and Phosphorus in GaAsP/GaAs Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy with a GaP Decomposition Source
GaP分解源固源分子束外延生长GaAsP/GaAs中砷和磷的掺入行为
  • DOI:
    10.1021/acs.nanolett.5b00188
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
    Nano letters
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    吴曙东;郭丽伟;王文新;李志华;牛萍娟;黄绮;周均铭
  • 通讯作者:
    周均铭
半导体自旋电子学的研究与应用进展
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    电子器件
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    赵宏鸣;刘林生;刘肃;蒋中伟;王佳;周均铭;刘宝利;高汉超;王文新;陈弘
  • 通讯作者:
    陈弘

其他文献

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周均铭的其他基金

锗硅MBE材料生长及在HBT和红外探测器上的应用
  • 批准号:
    69386005
  • 批准年份:
    1993
  • 资助金额:
    8.0 万元
  • 项目类别:
    专项基金项目

相似国自然基金

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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