低驱动GaAsSb应变基区双异质结双极晶体管分子束外延材料特性的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50572120
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:27.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:李志华; 刘林生; 吴曙东;
- 关键词:
项目摘要
在GaAs衬底上,在GaAsSb的临界厚度内研究以GaAsSb为基区的AlGaAs/GaAsSb/AlGaAs双异质结双极晶体管的分子束外延材料的生长特性,研究As和Sb的耦合机理及不同组分的GaAsSb生长特性,研究P型Be在基区GaAsSb中的扩散行为,同时研究抑制Be向发射极和收集极的扩散,生长出As终止的界面以抑制Sb和As原子在界面的交换以获得界面突变的异质结,生长出高质量的HBT外延材料,研究材料结构对HBT器件的影响,为低功耗高频晶体管的应用打下坚实的基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb on GaAs grown by MBE
MBE生长GaAs上生长参数对InAsSb晶体质量的影响
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- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
As保护下生长中断对InAs/AlSb超晶格界面粗糙度的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:李志华 王文新* 刘林生 蒋中伟 高汉超 周均铭
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Growth, antimony incorporation behavior and Beryllium doping of GaAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
通过分子束外延在 GaAs 上生长的 GaAsSb 的生长、锑掺入行为和铍掺杂
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- 作者:
- 通讯作者:
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- 期刊:
- 影响因子:--
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- 通讯作者:周均铭
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- 期刊:电子器件
- 影响因子:--
- 作者:赵宏鸣;刘林生;刘肃;蒋中伟;王佳;周均铭;刘宝利;高汉超;王文新;陈弘
- 通讯作者:陈弘
其他文献
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