用正电子湮没研究高温超导体中结构缺陷和电荷密度分布
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:19175033
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:6.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A30.核技术及其应用
- 结题年份:1994
- 批准年份:1991
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1992-01-01 至1994-12-31
- 项目参与者:任洪涛; 胡承正; 李晓华; 肖玲; 贺庆; 刘浩; 唐政;
- 关键词:
项目摘要
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--"}}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--" }}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--"}}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
其他文献
“AA2037新型连铸铝合金热轧板退
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理学报,55(2006)6127-6135
- 影响因子:--
- 作者:吴世亮;陈叶清;吴奕初;王少阶
- 通讯作者:王少阶
符合多普勒展宽谱的源修正研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:原子核物理评论,Vol.22, No.3(2005) pp.267-271
- 影响因子:--
- 作者:苏本法;王柱*;黄长虹;王少阶
- 通讯作者:王少阶
APPLICATION OF THE POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE
- DOI:--
- 发表时间:1990
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:王少阶
- 通讯作者:王少阶
固化温度对环氧树脂/累托土纳米
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:纳米科技,3(1):44-47 (2006)
- 影响因子:--
- 作者:陈喆;刘黎明;方鹏飞*;王少阶
- 通讯作者:王少阶
其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--" }}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--"}}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--" }}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
内容获取失败,请点击重试
查看分析示例
此项目为已结题,我已根据课题信息分析并撰写以下内容,帮您拓宽课题思路:
AI项目摘要
AI项目思路
AI技术路线图
请为本次AI项目解读的内容对您的实用性打分
非常不实用
非常实用
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
您认为此功能如何分析更能满足您的需求,请填写您的反馈:
王少阶的其他基金
电子偶素分子产生的实验研究
- 批准号:10974149
- 批准年份:2009
- 资助金额:40.0 万元
- 项目类别:面上项目
具有高慢化效率和寿命测量功能的新型正电子束研究
- 批准号:10475062
- 批准年份:2004
- 资助金额:40.0 万元
- 项目类别:面上项目
Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究
- 批准号:69576020
- 批准年份:1995
- 资助金额:9.5 万元
- 项目类别:面上项目
用正电子湮没技术研究聚合物材料自由体积及结构特性
- 批准号:59283031
- 批准年份:1992
- 资助金额:5.0 万元
- 项目类别:专项基金项目
二维物理吸附表面缺陷和相变的正电子湮没研究
- 批准号:18870735
- 批准年份:1988
- 资助金额:3.2 万元
- 项目类别:面上项目
相似国自然基金
{{ item.name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 批准年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}
相似海外基金
{{
item.name }}
{{ item.translate_name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 财政年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}