GaAs/GaAlAs激光传感器的光外差特性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69276029
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:6.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0403.半导体光电子器件与集成
- 结题年份:1995
- 批准年份:1992
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1993-01-01 至1995-12-31
- 项目参与者:付德惠; 徐凤兰; 莫文俊; 吕晓强;
- 关键词:
项目摘要
本课题设计合成特定结构化合物,对称的及不对称的二取代的二苯基氮氧自由基,对位取代苯乙烯及对位取代α-甲基苯乙烯,N-烷基取代咔唑、N-烷基取代吩噻嗪等79个化合物,应用顺磁共振(EPR)、荧光光谱测得化合物的各类参数,与已建立的取代基极参数σmb和自旋离域参数σ.n进行相关分析,研究自由基取代基效应 ……极性效应,离域效应和推拉效应,研究荧光光谱中有关能级和激发态的性质,研究荧光淬灭机理,研究电子给体和受体之间的电荷转移过程,通过本课题的认识,并对我们已建立的一套国际上最完整最可靠的反映取基自旋离域能力的自旋离域参数σJJ提供了有力的支持的佐征。
结项摘要
项目成果
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