III-V族半导体量子点的非线性与超快光谱研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10674131
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:30.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2002.凝聚态物质力热光电性质
- 结题年份:2009
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:徐仲英; 孙征; 王宝瑞; 王海莉;
- 关键词:
项目摘要
本项目将利用非线性及超快激光光谱,对III-V族半导体量子点的非线性光学响应, 以及该材料中电子,空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学问题进行研究。利用Z-Scan非线性光谱, 对III-V族半导体量子点的克尔系数, 双光子吸收系数等基本的非线性光学响应参数做系统的研究比较。这不仅是此材料基础物性的重要组成部分,也对开发研制近红外量子点激光器、全光调制器等具有重要意义。而利用飞秒(皮秒)超快光谱技术, 本项目拟研究量子点中载流子自旋的寿命与弛豫动力学问题,尤其是将着重于量子点中空穴及其自旋的寿命与弛豫动力学机理,探讨声子、载流子散射及自旋-轨道耦和相互作用对量子点中空穴自旋寿命的影响, 并希望在实验上区分Dresselhaus与Rashba 效应引起的不同自旋-轨道耦和相互作用对自旋寿命影响的相对贡献。此项研究不仅具有重要的基础物理研究意义, 也是量子点作为发展Qubits可行性的基础性探讨。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
InAs/GaAs量子点带隙能量以上的折射非线性
- DOI:10.1016/j.optcom.2009.12.002
- 发表时间:2010-04
- 期刊:Optics Communications
- 影响因子:2.4
- 作者:Huang, X.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Li, T.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
- 通讯作者:Niu, Z. C.
Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation
通过时间分辨克尔旋转研究 (Ga,Mn)As 中的自旋弛豫和移相机制
- DOI:10.1063/1.3116716
- 发表时间:2009-04
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:Zhu, Yonggang;Zhang, Xinhui;Li, Tao;Chen, Lin;Lu, Jun;Zhao, Jianhua
- 通讯作者:Zhao, Jianhua
Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
超薄 InAs 单层中的空穴自旋弛豫
- DOI:10.1088/0256-307x/26/5/057303
- 发表时间:2009-04
- 期刊:Chin. Phys. Lett., 25, 274 (2008)
- 影响因子:--
- 作者:张新惠
- 通讯作者:张新惠
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
超薄 InAs 单层中空穴自旋弛豫的温度依赖性
- DOI:10.1016/j.physe.2009.12.050
- 发表时间:2010-03
- 期刊:Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
- 影响因子:--
- 作者:Li, T.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Huang, X.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
- 通讯作者:Niu, Z. C.
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