从IP核层次研究减轻辐射效应的技术
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:11079045
- 项目类别:联合基金项目
- 资助金额:42.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A3203.兰州重离子加速器
- 结题年份:2013
- 批准年份:2010
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2011-01-01 至2013-12-31
- 项目参与者:童腾; 高山山; 董成富; 佘乾顺; 周朝阳; 赵红赟; 陈永辉; 马晓莉; 李小刚;
- 关键词:
项目摘要
我国集成电路产业相对落后,加之西方发达国家的技术封锁,使得高性能航天级器件难以获得,同时从抗辐射水平较低的COTS器件中筛选出满足航天需求的器件是十分困难的,限制了我国星载电子设备性能的提高。因此为了提高半导体器件的抗辐射水平,我们提出了从IP核层次研究减轻辐射效应的技术。本项目将建立FPGA的单粒子效应检测和处理系统,通过辐照实验研究FPGA内配置存储器、BRAM和CLB内寄存器的σ-LET关系,进而研究容错技术在缓解SEU故障的有效性,并且实现一个具有缓解SEU故障能力的LEON3 IP核。本项目的实施具有重要意义和应用前景,一方面有助于将普通IP核容错改进成具有减轻辐射效应功能的IP核,从系统级提升FPGA和SOC的抗辐射水平;另一方面有助于完善和改进兰州重离子加速器的地面模拟实验终端,促进单粒子效应检测技术的发展。
结项摘要
我国集成电路产业相对落后,加之西方发达国家的技术封锁,使得高性能航天级器件难以获得, 同时从抗辐射水平较低的COTS 器件中筛选出满足航天需求的器件是十分困难的,限制了我国星载电子设备性能的提高。因此为了提高半导体器件的抗辐射水平,我们提出了从IP 核层次研究减轻辐射效应的技术这一课题。在项目经费的支持下,主要开展了FPGA 单粒子效应检测与处理系统的设计与研制工作,研制完成了FPGA 单粒子效应检测与处理系统的原理样机,基于该系统开展了辐照实验,验证了单粒子效应检测和处理系统的可行性。研究了空间的高能粒子对SRAM型FPGA的影响,开展了基于SRAM 型FPGA的抗单粒子效应容错技术的研究,研究了容错技术在缓解SEU 故障的有效性,设计实现了具有容错功能的移位寄存器和UART模块,结合EDAC和TMR方法设计了容错异步串行收发器等IP核模块。利用兰州重离子加速器提供的丰富的离子类型,开展了对静态随机存储器SRAM单粒子效应的研究,取得了一些很有意义的研究成果。此外,通过本项目的实施,也在一定程度上完善和改进了兰州重离子加速器的地面模拟实验终端,促进了单粒子效应检测技术和条件的发展。
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
An improved technology for eliminating nondeterministic latency in the L1 trigger system
用于消除 L1 触发系统中的不确定性延迟的改进技术
- DOI:--
- 发表时间:2013-07
- 期刊:Nuclear Science and Techniques
- 影响因子:2.8
- 作者:苏弘
- 通讯作者:苏弘
一种改进的SRAM单粒子效应检测系统
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:原子核物理评论(Nuclear physics Review)
- 影响因子:--
- 作者:苏弘
- 通讯作者:苏弘
Effectiveness and failure modes of Error Correcting Code in industrial 65nm CMOS SRAMs exposed to heavy ion
暴露于重离子的工业 65nm CMOS SRAM 中纠错码的有效性和故障模式
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Nuclear Science and Techniques
- 影响因子:2.8
- 作者:苏弘
- 通讯作者:苏弘
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- 作者:孙文;千奕;苏弘;董成富;赵兴文;王晓辉;李小刚;马晓莉;杨海波
- 通讯作者:杨海波
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