基于二维材料量子电容器的电致可调谐振电路

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61904077
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    23.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0408.新型信息器件
  • 结题年份:
    2022
  • 批准年份:
    2019
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2020-01-01 至2022-12-31

项目摘要

Quantum capacitance describes the self-charge/discharge effects of materials when electrons are filling the Fermi level driven by an electric potential. Distinguished from the concept of traditional capacitance, the quantum capacitance is restricted by quantum phenomena, such as the Pauli exclusion principles. The discovery of two-dimensional (2D) materials have made 2D material an excellent platform for investigating quantum capacitance, due to the atomically thin thickness and ultra-low density of states. The quantum capacitance measurement has been widely applied to study various fundamental properties of 2D materials, including the electron density of states, electron-electron interactions, band structure and quantum hall states. However, the concept of quantum capacitance has not yet been applied to electronic circuits. In this proposal, we will build high quality quantum capacitors based on 2D materials, including graphene, MoS2, and black phosphorus; Use gate voltage to electrically tune the capacitance value of 2D material quantum capacitors; Improve the structure of quantum capacitor to enhance the electrically tunable range of capacitance; Finally, we will apply the 2D material quantum capacitors to electronic resonant circuits to realize electrically tunable resonant frequency and achieve high quality factor.
量子电容是材料在外电势作用下电子填充费米能级所引起的自身充放电现象。不同于传统电容的概念,电子在费米能级的填充受制于泡利不相容原理等量子现象,因此被称为量子电容。此量子电容现象在二维材料中表现特别明显,被广泛用于二维材料的电子态密度、电子与电子相互作用、能带结构和量子霍尔态等基础科学研究。然而,二维材料量子电容器在电子电路中的应用研究仍是空白。本项目拟通过石墨烯、二硫化钼、黑磷等二维材料,构筑高质量量子电容器;利用外电势操纵量子电容器,实现电容大小的电致可调;优化其结构和性能,增强电容可调范围;最后将二维材料量子电容器应用在电子谐振电路中,实现谐振频率可调、高品质因子的电子电路。

结项摘要

量子电容现象广泛存在于具有低电子态密度的材料中,是电子填充费米能级引起的充放电现象,受制于泡利不相容等量子原理,是实现新型电调谐电容器件及电路的重要物理机制。二维材料具有低电子态密度、物性电致可调、硅基兼容性好等优势,是研究量子电容特性及电路应用的极佳平台。本项目基于石墨烯等二维材料,1)基于二维材料干法转移技术和光刻工艺,制备了“石墨烯/氮化硼/金属”等高质量平行板量子电容器件;2)在栅压作用下实现了器件电容的电调谐,在2V栅控电压下实现了电容值50%的改变,并提取了石墨烯量子电容与费米能的依赖关系,实验结果和理论计算数值取得了良好的一致性;3)基于石墨烯量子电容器构建了电子谐振电路,在2V栅控电压下实现了20%谐振频率的改变,电路品质因子可达65;4)通过进一步构建模型理论预测了石墨烯量子电容器的工作极限:在0.3V的超低栅控电压下可以实现700%的电容值调制与200%的谐振频率调制。本项目发展的石墨烯量子电容器相较于主流的微电子机械系统与半导体变容二极管具有占用面积小、功耗低、可调谐范围大的优势,为可调谐振电路的研究和应用提供了一个有希望的平台,对进一步提高芯片集成度具有重要促进和启示作用。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Probing interlayer shear thermal deformation in atomically-thin van der Waals layered materials.
探测原子薄范德华层状材料的层间剪切热变形
  • DOI:
    10.1038/s41467-022-31682-w
  • 发表时间:
    2022-07-09
  • 期刊:
    Nature communications
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
  • 通讯作者:
Mid-infrared light-emitting properties and devices based on thin-film black phosphorus
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  • DOI:
    10.1039/d0tc05384h
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
    Journal of Materials Chemistry C
  • 影响因子:
    6.4
  • 作者:
    Zong Xinrong;Liao Kan;Zhang Le;Zhu Chao;Jiang Xiaohong;Chen Xiaolong;Wang Lin
  • 通讯作者:
    Wang Lin
Synthesis Techniques, Optoelectronic Properties, and Broadband Photodetection of Thin-Film Black Phosphorus
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  • DOI:
    10.1002/adom.202000045
  • 发表时间:
    2020-05-13
  • 期刊:
    ADVANCED OPTICAL MATERIALS
  • 影响因子:
    9
  • 作者:
    Zhang, Le;Wang, Bing;Zhang, Han
  • 通讯作者:
    Zhang, Han
Black phosphorus-based van der Waals heterostructures for mid-infrared light-emission applications
用于中红外发光应用的黑磷基范德华异质结构
  • DOI:
    10.1038/s41377-020-00356-x
  • 发表时间:
    2020-07
  • 期刊:
    Light: Science and Applications
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Zong Xinrong;Hu Huamin;Ouyang Gang;Wang Jingwei;Shi Run;Zhang Le;Zeng Qingsheng;Zhu Chao;Chen Shouheng;Cheng Chun;Wang Bing;Zhang Han;Liu Zheng;Huang Wei;Wang Taihong;Wang Lin;Chen Xiaolong
  • 通讯作者:
    Chen Xiaolong
Strong neel ordering and luminescence correlation in a two‐dimensional antiferromagnet
二维反铁磁体中的强尼尔排序和发光相关性
  • DOI:
    10.1002/lpor.202100431
  • 发表时间:
    2022-05
  • 期刊:
    Laser & Photonics Reviews
  • 影响因子:
    11
  • 作者:
    Zhou Yongheng;He Kaiyue;Hu Huamin;Ouyang Gang;Zhu Chao;Wang Wei;Qin Sichen;Tao Ye;Chen Runfeng;Zhang Le;Shi Run;Cheng Chun;Wang Han;Liu Yanjun;Liu Zheng;Wang Taihong;Huang Wei;Wang Lin;Chen Xiaolong
  • 通讯作者:
    Chen Xiaolong

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黑磷转角同质结中红外发光特性及在发光二极管领域的应用
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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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