镧系元素掺杂二氧化铪的介质弛豫和更高介电常数研究

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基本信息

  • 批准号：
    60976075
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    35.0万
  • 负责人：
    赵策洲
  • 依托单位：
    西交利物浦大学
  • 学科分类：
    F0406.集成电路器件、制造与封装
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2009
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

掺杂氧化铪是新近发现的一类具有更高介电常数的栅氧介质，本项目主要研究其在22nm集成电路工艺技术中的应用。本研究的目标是：在现有研究的基础上，通过抑制掺杂氧化铪的介质弛豫，将其介电常数提高到 40以上。为此，本项目主要研究以下五方面内容：1、优化掺杂氧化铪介质薄膜的生长条件和退火条件，从而控制其单斜晶相、立方体晶相和四面体晶相的晶粒尺寸，并降低其残余应力；2、选择不同掺杂元素和掺杂浓度，来抑制掺杂离子扩散所导致的介质弛豫；3、研究介质中氧空位和电子陷阱所形成的偶极矩对介质弛豫的影响；4、研究减小高k介质和硅衬底间界面层的残余应力的方法；5、测试介质薄膜的漏电流和平带电压漂移，分析镧系氧化铪介质的可靠性。在此基础上，本项目将基于Curie-vonSchweidler定律和Kohlrausch-Williams-Watts关系，建立高k介质中介质弛豫的理论模型，并研究模型背后的物理意义。

结项摘要

掺杂氧化铪是新近发现的一类具有更高介电常数的栅氧介质，本项目主要研究其在22nm 集成电路工艺技术中的应用。本研究的目标是：在现有研究的基础上，通过抑制掺杂氧化铪的介质弛豫，将其介电常数提高到 40 以上。为此，本项目主要研究了以下五方面内容：1、非本征频散的考虑和k值的提取，2、掺杂氧化铪介质弛豫的数学和物理模型，3、生长条件和退火条件对掺杂氧化铪介质弛豫的影响，4、晶粒尺寸对介质弛豫的影响，5、介质弛豫的机理和控制，6、为分析镧系氧化铪介质的可靠性而建立的测试介质薄膜的漏电流和平带电压漂移的手段。另外，也研究了介质中氧空位和电子陷阱所形成的偶极矩对介质弛豫的影响。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）

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其他文献

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镧系元素掺杂二氧化铪和超薄二氧化铪的总剂量效应研究
  • 批准号：
    11375146
  • 批准年份：
    2013
  • 资助金额：
    81.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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