OTFT及OLED集成像素的研制
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60707015
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:24.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0502.光子与光电子器件
- 结题年份:2010
- 批准年份:2007
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2008-01-01 至2010-12-31
- 项目参与者:石家纬; 曹军胜; 杨悦; 粱庆成; 陈思;
- 关键词:
项目摘要
OTFT因具有诸多优点在平板显示与低端/柔性集成电路方面具有广阔的商业应用前景。拟进行具有顶栅、双(多)绝缘层结构的OTFT的工艺制备与器件性能的研究,并解决其与OLED集成为有源矩阵像素所面临的相关问题。我们设计的OTFT器件可在真空室内一次性完成,制备过程避免了玷污及与氧接触,重复性好,稳定性高;且制备工序简单,易于器件微型化与集成化,易于控制器件的工作电压,易于得到高性能的器件。将顶栅、双(多)绝缘层结构的OTFT应用于有源矩阵寻址的平板显示,拟设计并制备8×8阵列的OTFT-OLED显示屏,与其他同类报道的工艺程序相比,其上述的优点尤为突出。基于我们前期的研究基础,预期项目研究可以取得如下成果:OTFT场效应迁移率达到0.5 cm2/Vs,开关电流比达5个数量级,阈值电压低于3 V;实现8×8有源矩阵OTFT-OLED显示屏的实验室制备。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(2)
专利数量(0)
Light response characteristics of organic thin-film transistors with and without a P(MMA–GMA) modification layer
具有和不具有P(MMA–GMA)修饰层的有机薄膜晶体管的光响应特性
- DOI:10.1088/0268-1242/25/11/115009
- 发表时间:2010-11
- 期刊:Semiconductor Science and Technology
- 影响因子:1.9
- 作者:
- 通讯作者:
Nonvolatile Memory Effect in Organic Thin-Film Transistor Based on Aluminum Nanoparticle Floating Gate
基于铝纳米粒子浮栅的有机薄膜晶体管的非易失性记忆效应
- DOI:10.1088/0256-307x/27/1/018503
- 发表时间:2010
- 期刊:Chinese Physics Letters
- 影响因子:3.5
- 作者:
- 通讯作者:
Organic floating-gate transistor memory based on the structure of pentacene/nanoparticle-Al/Al2O3
基于并五苯/纳米粒子-Al/Al2O3结构的有机浮栅晶体管存储器
- DOI:10.1063/1.3432667
- 发表时间:2010-05
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:
- 通讯作者:
Organic Thin-Film Transistor Memory With Nanoparticle Floating Gate
具有纳米颗粒浮栅的有机薄膜晶体管存储器
- DOI:10.1109/ted.2009.2016031
- 发表时间:2009-03
- 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
- 影响因子:3.1
- 作者:
- 通讯作者:
多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:发光学报,2011(EI源刊,已录用,待发表)
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