基于第一性原理计算的磁性半导体隧道结的自旋极化输运研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10947005
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:14.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A25.基础物理
- 结题年份:2012
- 批准年份:2009
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2010-01-01 至2012-12-31
- 项目参与者:黄桂芹; 钟鸣; 沈洁; 赵旭丽; 王吉霞;
- 关键词:
项目摘要
基于第一性原理研究磁性半导体薄膜材料的电子结构、磁性及相应隧道结中在考虑界面的几何结构和界面带情形下的自旋注入和输运,通过电子结构的计算寻找具有高自旋极化度的稀磁半导体材料和适合实际器件结构的高效而方便的自旋极化注入、输运、调控和探测的方案,期望促进半导体自旋电子学的发展和为研制新一代多功能、高性能、超高速和低功耗的半导体自旋电子器件提供理论指导和技术储备。
结项摘要
本项目按照任务计划书的原定的年度计划,基于第一性原理对磁性半导体薄膜材料的电子结构、磁性及相应隧道结中在考虑界面的几何结构和界面带情形下的自旋注入和输运进行了研究。通过电子结构的计算表明,可获得的高自旋极化度的稀磁半导体材料适合实际器件结构的高效而方便的自旋极化注入、输运、调控和探测。对由磁性半导体与半导体或者各种各样的超导体包括铁基超导体所组成的异质结,即所谓的半导体自旋电子学器件或者超导自旋电子学器件,进行了的研究表明,这些系统不仅有着很大的内在的科学重要性还有潜在的器件应用价值包括信号处理和量子计算。此外,做了相应的扩展的研究,无内容调整。. 已经在国外重要杂志上发表SCI科研论文13篇,完成了任务计划书中的预期研究结果即SCI论文8篇左右,部分论文有较高的引用率,并为实验及应用研究提供理论依据。7名研究生的科研重点围绕本课题进行,其中,5名已顺利地毕业,2名在读。
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Superconducting spintronics: Spin-polarized transport in superconducting junctions with ferromagnetic semiconducting contact
超导自旋电子学:具有铁磁半导体接触的超导结中的自旋极化传输
- DOI:10.1063/1.3318287
- 发表时间:2010-02
- 期刊:Journal of Applied Physics
- 影响因子:3.2
- 作者:Tao, Y. C.;Hu, J. G.
- 通讯作者:Hu, J. G.
Surface lattice vibration and electron-phonon interaction in topological insulator Bi2Te3 (111) films from first principles
从第一原理看拓扑绝缘体 Bi2Te3 (111) 薄膜的表面晶格振动和电子-声子相互作用
- DOI:10.1209/0295-5075/100/17001
- 发表时间:2012-10-01
- 期刊:EPL
- 影响因子:1.8
- 作者:Huang, G. Q.
- 通讯作者:Huang, G. Q.
Junctions with ferromagnetic contacts to probe the pairing symmetry of iron pnictide superconductors
具有铁磁接触的结来探测铁磷族化物超导体的配对对称性
- DOI:10.1088/1367-2630/13/12/123016
- 发表时间:2011-12
- 期刊:New Journal of Physics
- 影响因子:3.3
- 作者:Tao, Y. C.;Zhao, X. L.;Dong, Z. C.;Hu, J. G.
- 通讯作者:Hu, J. G.
Magnetic behavior of Mn-doped GaN (100) film from first-principles calculations
第一性原理计算的 Mn 掺杂 GaN (100) 薄膜的磁行为
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:J. Appl. Phys
- 影响因子:--
- 作者:Huang G.Q.;Wang J.X.
- 通讯作者:Wang J.X.
Tunnel conductance in GaN:Mn/AlN/GaN:Mn (0001) junction from first-principles calculations
根据第一原理计算得出 GaN:Mn/AlN/GaN:Mn (0001) 结中的隧道电导
- DOI:10.1063/1.4770369
- 发表时间:2012-12
- 期刊:J. Appl. Phys
- 影响因子:--
- 作者:Chen G.W.;Huang G.Q.
- 通讯作者:Huang G.Q.
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- 通讯作者:陶永春
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- 通讯作者:张正勇
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:仪器仪表学报
- 影响因子:--
- 作者:张东风;梅涛;陶永春;孔德义
- 通讯作者:孔德义
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