侧向光伏与磁电阻共存新型光电材料的研究与制备
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60776035
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:36.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0403.半导体光电子器件与集成
- 结题年份:2010
- 批准年份:2007
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2008-01-01 至2010-12-31
- 项目参与者:夏宇兴; 李晓云; 肖少庆; 孔令珍; 尹彦春;
- 关键词:
项目摘要
针对目前信息材料领域多数光电子材料的单一特性,在前期预研究的基础上,提出了磁特性与光伏共存的概念。由于磁性材料本身存在对光和磁场敏感的净自旋,所以它和半导体材料组成的系统就有可能产生比由非磁金属/半导体组成的系统更大的侧向光伏输出;另外磁性金属和半导体界面容易存在电子自旋的积聚和量子阱效应,也会导致异常的大磁电阻。开展此类研究,对于研制同时对磁和光都敏感的双传感单元或者双开关光电信息单元材料,具有重要意义。这种新型信息单元对于未来微型计算机的开发,包括带记忆功能的微型开关以及军事领域的精确瞄准与控制、开发新一代信息材料及机电自动化等领域都具有潜在的巨大应用价值。此外,探索和弄清楚具有大的侧向光伏及磁阻特性的材料的新光伏机制和新磁阻机理,对于人为裁剪和控制材料新特性意义重大,因此该项目也具有很强的科学意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
The Co-film-thickness dependent lateral photoeffect in Co-SiO2-Si metal-oxide-semiconductor structures
Co-SiO2-Si金属氧化物半导体结构中Co膜厚度相关的横向光效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Optics Express
- 影响因子:3.8
- 作者:Zhao; Z. C.;Wang; H.;Wang; Z. H.;Xia; Y. X.;Gu; Y. Z.;Xiao; S. Q.
- 通讯作者:S. Q.
Correlation of magnetoresistance and lateral photovoltage in Co3Mn2O/SiO2/Si metal-oxide-semiconductor structure
Co3Mn2O/SiO2/Si金属氧化物半导体结构中磁阻与横向光电压的相关性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:New Journal of Physics
- 影响因子:3.3
- 作者:Wang; Z. H.;Jin; Q. Y.;Xia; Y. X.;Wang; H.;Xiao; S. Q.;Yu; C. Q.
- 通讯作者:C. Q.
Improved metal-semiconductor position detector with oscillating lateral photovoltaic effect
具有振荡横向光伏效应的改进金属半导体位置检测器
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Optics Letters
- 影响因子:3.6
- 作者:Yu; Chong Qi;Wang; Hui
- 通讯作者:Hui
Enhanced lateral photovoltaic effect observed in CdSe quantum dots embedded structure of Zn/CdSe/Si
Zn/CdSe/Si CdSe 量子点嵌入结构中观察到增强的横向光伏效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Optics Letters
- 影响因子:3.6
- 作者:Tian Lan;Hui Wang;Shuai Liu
- 通讯作者:Shuai Liu
Giant lateral photovoltaic effect observed in TiO2 dusted metal-semiconductor structure of Ti/TiO2/Si
在 Ti/TiO2/Si 的 TiO2 粉末金属半导体结构中观察到巨大的横向光伏效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:Wang; Hui;Yu; Chong Qi;Xia; Yu Xing
- 通讯作者:Yu Xing
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