半导体发光器件在大电流下的电特性与发光特性

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60876035
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    32.0万
  • 负责人：
    冯列峰
  • 依托单位：
    天津大学
  • 学科分类：
    F0403.半导体光电子器件与集成
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

我们采用自建的以正向交流电特性与I-V 测量结合的方法精确表征半导体二极管的正向电特性，发现二极管串联电阻中的欧姆接触电阻都是非线性的，激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容等电特性在阈值处同时呈现突变，理想发光二极管大电流下的结电压完全饱和且理想因子随电流增加而下降，这些结果都得到国际权威刊物高度认可。本项目拟大幅度提高各种激光二极管的电学特性在阈值附近突变的测量精度，完成阈值附近各种发光特性的高精度和高灵敏度的判定性实验测量，确定对应的远离平衡态相变级数；将半导体器件物理与耗散理论和协同论结合，建立能够解释阈值附近电特性突变的唯象和动力学理论模型；研究不同结构、材料和工艺的发光器件在大电流下光、电特性之间的关系，探讨用电特性表征发光特性的方法，为高亮度器件研制服务；研究氮化镓基器件的欧姆接触层内的电场分布并对改善p型材料的欧姆接触作出贡献。本项目具有重要的学术意义和应用价值。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（4）
专利数量（0）
Accurate characterization of room-temperature long range magnetic order in GaN: Mn by magnetic force microscope
通过磁力显微镜准确表征 GaN: Mn 中的室温长程磁序
  • DOI：
    10.1007/s11431-010-4191-1
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
    Science China-Technological Sciences
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Zhang YuHao;Dai Tao;Qian YuZhou;Yang XueLin;Zhang GuoYi;Lin ZhiYuan;Li Ding;Chen ZhiTao;Wang CunDa;Zhang FaFa;Han BaoShan
  • 通讯作者：
    Han BaoShan
650nm波长发光器件的电学特性研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    天津师范大学学报(自然科学版)
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    冯列峰;从红侠;李杨;王存达
  • 通讯作者：
    王存达
Low frequency capacitance characteristics of light-emitting diodes
发光二极管的低频电容特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
    Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Li, Yang;Wang, Jun;Feng, Lie-Feng;Zhang, Guo-Yi;Wang, Cun-Da;Cong, Hong-Xia;Zhu, Chuan-Yun
  • 通讯作者：
    Zhu, Chuan-Yun
Physicals picture for discontinuous electrical behaviors of LDs at lasing threshold
激光阈值下 LD 不连续电行为的物理图
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Wang, Cun-Da;Li, Ding;Li, Yang;Zhang, Guo-Yi;Feng, Lie-Feng
  • 通讯作者：
    Feng, Lie-Feng
Negative Terminal Capacitance of Light Emitting Diodes at Alternating Current (AC) Biases
交流 (AC) 偏置下发光二极管的负端电容
  • DOI：
    10.1109/jqe.2010.2043337
  • 发表时间：
    2010-03
  • 期刊：
    IEEE Journal of Quantum Electronics
  • 影响因子：
    2.5
  • 作者：
    Feng, L. F.;Zhu, C. Y.;Li, Y.;Wang, C. D.;Cong, H. X.
  • 通讯作者：
    Cong, H. X.

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其他文献

GaN基450nm波长LD在阈值处的反常电学特性
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    光电子· 激光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    李倩倩;杜江涛;王存达;冯列峰
  • 通讯作者：
    冯列峰
发光二极管中负电容现象的实验研
  • DOI：
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  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光电子·激光,2006,17(1):1-4.
  • 影响因子：
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  • 作者：
    王军;冯列峰;朱传云;丛红侠
  • 通讯作者：
    丛红侠
半导体GaN基蓝光发光二极管的精准电学特性
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    光电子-激光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    李杨;冯列峰;李丁;王存达;邢琼勇;张国义
  • 通讯作者：
    张国义
激光二极管正向电特性的精确检测
  • DOI：
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  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    半导体学报，2006, 27(1) : 105-109.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    丛红侠;冯列峰;王 军;朱传云
  • 通讯作者：
    朱传云
发光二极管中负电容现象的机理
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光电子·激光,2006,17(1):5-8.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    冯列峰;朱传云;陈永;曾志斌
  • 通讯作者：
    曾志斌

其他文献

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冯列峰的其他基金

GaN基多量子阱激光器在阈值区激子的疑似玻色-爱因斯坦凝聚现象的确证
  • 批准号：
    12274319
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    面上项目
利用物理学基本原理对经典肖克莱半导体二极管理论的修正
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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