电化学间接超精细抛光新技术的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:59605017
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:12.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0509.加工制造
- 结题年份:1999
- 批准年份:1996
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1997-01-01 至1999-12-31
- 项目参与者:谢雷; 黄寅; 陈东英;
- 关键词:
项目摘要
利用约束刻蚀剂层技术(CELT)的原理,实现了电化学间接技术对半导体材料的超精细抛光。探索了几种电化学平整模板的制作工艺及性质。采用NaOH中和在O-IV恒电位条件下制得的TiO2膜电极性质稳定,光电转换效率高,且表面平整。采用钛酸乙酯热分解法制得TiO2薄膜,其表面颗粒直径在50纳米左右。并表现出纳米颗粒独特的光电化学特性。对刻蚀体系的详细研究表明,在对半导体硅进行抛光时,溴/亚砷酸体系较为全适;而对于砷化镓,溴/丙烯酸体系效果最好。与哈尔滨工业大学合作研制了新一代的CELT技少加工装置。对硅和砷化镓的电化学抛光工艺进行了研究。抛光前后硅的表面粗糙度Ra值分别为30.6nm和4.1nm;砷化镓分别为18.1nm和0.7nm。
结项摘要
项目成果
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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--"}}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--" }}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--"}}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--" }}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--"}}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--" }}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
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{{ item.name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 批准年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}
相似海外基金
{{
item.name }}
{{ item.translate_name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 财政年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}