基于DSRD断路开关的纳秒级超快脉冲调制器技术在未来先进加速器上的应用研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    11475200
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    60.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    A2801.加速器物理
  • 结题年份:
    2018
  • 批准年份:
    2014
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2015-01-01 至2018-12-31

项目摘要

Drift Step Recovery Diode (DSRD) is a kind of specific designed semiconductor diode, which can be applied to generate a super-fast pulse power with nanosecond-range front edge and MW-range pulse power by its fast opening reversed current switch character. The advanced technology has a broad application prospect in the fields of particle accelerator, radar detection, communication technology, environmental protection and material science etc. with advantages of all solid-state, high pulse repetition rate, low jitter, long lifetime, low storage voltage and small size etc..In this project, we would propose a few key technique problems to be overcome for the future advanced accelerators,then study on the theory of DSRD device operation deep inside, research on circuit topologies of DSRD-based super-fast pulsed modulator and fast pulse power superposing technologies and finally, develop a performance prototype of DSRD-based super-fast pulsed power supply with the pulse rise and fall time<2ns, flattop=5ns, pulse voltage=5-10kV into 50ohm load, pulse repeat rate>10kHz. By this research project, we could master DSRD-based Nanosecond-range super-fast pulsed modulator technology for the future advanced accelerator projects as International Linear Collider(ILC)、great Circular Electron Positron Collider(CEPC)、Diffraction Limited Storage Ring(DLSR)photon source and so on.
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是一种特殊设计的半导体二极管,可以利用它对反向电流快速关断的特性,产生纳秒级前沿MW级脉冲功率的超快脉冲信号。该先进技术具有全固态、重复频率高、抖动小、寿命长、储能电压低、体积小等优点,在粒子加速器、雷达探测、通信技术、环境保护和材料科学等领域都具有广阔的应用前景。本研究项目,从未来先进加速器有待解决的关键技术问题出发,在深入研究DSRD器件工作机理的基础上,探讨基于DSRD断路开关的超快脉冲调制器电路拓扑结构,快脉冲功率叠加等技术问题,并试制一台基于DSRD开关的超快脉冲电源性能样机:脉冲上升/下降时间<2ns,脉冲平顶=2-5ns,脉冲电压=5-15kV,负载=50Ω,脉冲重复频率>10kHz。通过本项目研究,基本掌握基于DSRD的纳秒级超快脉冲调制器技术,为将来可能建造的先进加速器工程做技术储备,如:国际直线对撞机、大型的环型对撞机、衍射极限先进光源等。

结项摘要

漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是一种特殊设计的半导体二极管,可以利用它快速关断反向电流的特性,产生纳秒级前沿MW级脉冲功率的超快脉冲信号。该先进技术具有全固态、重复频率高、抖动小、寿命长、储能电压低、体积小等优点,在粒子加速器、雷达探测、通信技术、环境保护和材料科学等领域都具有广阔的应用前景。本研究项目,从未来先进加速器有待解决的关键技术问题出发,在深入研究DSRD器件工作机理的基础上,探讨基于DSRD断路开关的超快脉冲调制器电路拓扑结构,快脉冲功率叠加等技术问题,并研制了一台基于DSRD开关的超快脉冲电源性能样机:脉冲上升/下降时间<2.6ns/3.2ns,脉冲底宽=10-15ns,脉冲电压=±18kV,负载=50Ω,脉冲重复频率>10kHz。通过本项目研究,已掌握基于DSRD的纳秒级超快脉冲调制器技术,为将来可能建造的先进加速器工程做技术储备,如:国际直线对撞机、大型的环型对撞机、衍射极限先进光源、自由电子激光装置等。

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(1)

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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
    强激光与粒子束
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    史晓蕾;陈锦晖;王冠文;王磊
  • 通讯作者:
    王磊

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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