透明氧化物半导体薄膜晶体管及其驱动的ＯＬＥＤ全透明显示器件的研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60776040
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    蒋雪茵
  • 依托单位：
    上海大学
  • 学科分类：
    F0404.半导体电子器件与集成
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

薄膜晶体管是主动驱动平板显示的核心元件，当前用于驱动液晶的是非晶硅TFT，用于驱动OLED则需用多晶硅TFT，但它不透明，限制了开口率，对光灵敏，造成对TFT器件的干扰，且成本高，工艺复杂。新一代TFT将是以ZnO为主的氧化物，因其禁带宽，透明度高，不存在开口率问题。对光不灵敏，光干扰小，迁移率高，而且它是少有的能在低温工艺下在多种衬底下生成多晶的半导体，为柔性显示打下基础。本项目目标是研制成ZnO-TFT驱动的OLED全透明显示器件。主要研究内容有（1）用PECVD或溅射方法制成高介电常数，高击穿强度的栅绝缘层，降低TFT的阈值电压。（2）在常温下制备优质ZnO多晶薄膜，优化工艺使其达到等化学比，减少散射中心，增大迁移率和暗电阻.（3）研究弱微腔效应下的高效率，高光抽出率的OLED。通过界面修饰，栅电极,源，漏电极的pattern, 将ZnOTFT和OLED集成起来制成目标器件

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
具有阶梯势垒的低压有机电致发光器件
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光电子.激光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    朱文清;张志林;鲁富翰;蒋雪茵;徐维
  • 通讯作者：
    徐维
High-performance ZnO thin film transistors with sputtering SiO2/Ta2O5/SiO2 multilayer gate dielectric
溅射 SiO2/Ta2O5/SiO2 多层栅介质的高性能 ZnO 薄膜晶体管
  • DOI：
    10.1016/j.tsf.2010.06.017
  • 发表时间：
    2010-08
  • 期刊：
    Thin Solid Films
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Li, J.;Zhang, L.;Jiang, X. Y.;Zhang, X. W.;Zhang, Z. L.
  • 通讯作者：
    Zhang, Z. L.
Copper phthalocyanine thin-film field-effect transistor with SiO2/Ta2O5/SiO2 multilayer insulator
SiO2/Ta2O5/SiO2多层绝缘体铜酞菁薄膜场效应晶体管
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Thin Solid Films
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Zhang, H.;Zhang, X. W.;Zhang, L.;Ma, J. W.;Zhang, Z. L.;Jiang, X. Y.
  • 通讯作者：
    Jiang, X. Y.
Blue organic light-emitting diodes with low driving voltage and enhanced power efficiency based on MoO3 as hole injection layer and optimized charge balance
基于MoO3作为空穴注入层并优化电荷平衡的低驱动电压和提高功率效率的蓝色有机发光二极管
  • DOI：
    10.1016/j.jnoncrysol.2010.01.023
  • 发表时间：
    2010-05
  • 期刊：
    Journal of Non-Crystalline Solids
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Jiang, X. Y.;Zhang, Liang;Khizar-ul-Haq;Zhang, Z. L.;Zhang, X. W.;Khan, M. A.
  • 通讯作者：
    Khan, M. A.
Effect of a SiNx insulator on device properties of pentacene-TFTs with a low-cost copper source/drain electrode
SiNx 绝缘体对具有低成本铜源/漏电极的并五苯 TFT 器件性能的影响
  • DOI：
    10.1088/0268-1242/25/4/045027
  • 发表时间：
    2010-04
  • 期刊：
    Semiconductor Science and Technology
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Li, Jun;Jiang, Xue-Yin;Zhang, Zhi-Lin;Zhang, Xiao-Wen;Zhang, Liang;Zhang, Hao;Zhu, Wen-Qing
  • 通讯作者：
    Zhu, Wen-Qing

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其他文献

发光层厚度变化的高效红色有机电
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  • 发表时间：
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  • 通讯作者：
    蒋雪茵
吡唑啉衍生物有机电致发光器件中
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    朱文清;郑新友;蒋雪茵;张志林
  • 通讯作者：
    张志林
新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    曹进;张晓波;委福祥;蒋雪茵
  • 通讯作者：
    蒋雪茵
OLED矩阵同步显示VGA视频的灰度
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光电子激光，17（2），2006，131-134
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张觉民;蒋雪茵;张志林
  • 通讯作者：
    张志林

其他文献

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蒋雪茵的其他基金

具有微腔结构的顶发射彩色有机发光显示屏的研究
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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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