InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    61176075
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    73.0万
  • 负责人：
    邵军
  • 依托单位：
    中国科学院上海技术物理研究所
  • 学科分类：
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份：
    2015
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2015-12-31

项目摘要

红外探测事关国家战略安全。InAs/GaSb二类超晶格（T2SL）因其独有电子能带可剪裁性和高理论量子效率，成为近年国际红外探测研究热点。但是，关于T2SL基础研究仍相当有限，界面互扩散与厚度涨落、应力补偿、电子能带结构等因素对材料光学性能影响及其温度演化尚未得到解决。就国内而言，对这些问题全面理解更有助于尽快缩小与国际先进水平差距，推动材料器件性能提升。.本项目创新点在于，基于我们红外调制光谱技术优势，形成针对InAs/GaSb T2SL弱PL/PR特征测试条件优化，分析带边能带结构，探索应力补偿、界面互扩散及与材料制备、层厚的关系，研究红外调制光谱及其温度、激发功率演化行为，建立光电响应截止波长无损非接触可靠预测判据，形成对我国InAs/GaSb T2SL材料器件研究的红外调制光谱技术支持，解决材料器件研发中若干机理问题，在红外调制光谱物理研究中取得新结果，助推国家重点实验室学科发展。

结项摘要

基于新型红外调制光致发光(PL)和光调制反射(PR)光谱方法发展优势，通过优化变低温实验条件、实现低变温系列PL和PR光谱便捷可靠测量，形成对InAs/GaSb T2SL红外探测材料器件研究光电性能表征的红外调制光谱支持能力，建立界面互扩散、粗糙度/层厚涨落、应力补偿等因素对材料光学性能及温度相关性影响的物理图像，实现带边准直、电子能带结构等关键特性定量描述。培养5名研究生红外调制光谱能力，发表11篇标注资助SCI期刊论文，申请和获授权4项发明专利；为国内外多个知名研究组相关研究提供红外PL/PR光谱测试支持。

项目成果

期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（4）
专利数量（0）
Mechanisms of infrared photoluminescence in HgTe/HgCdTe superlattice
HgTe/HgCdTe 超晶格红外光致发光机制
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Lu; Wei;Tsen; G. K. O.;Guo; Shaoling;Dell; J. M.
  • 通讯作者：
    J. M.
Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb
InSb 中谐振能级和能带边缘结构的红外光反射研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    Optics Letters
  • 影响因子：
    3.6
  • 作者：
    SEHUN PARK;LIANG ZHU;EUIJOON YOON;Jun Shao
  • 通讯作者：
    Jun Shao
Above-Hg1？xCdxTe-bandgap photoluminescence and interfacial channels in Hg1？xCdxTe–CdTe heterostructure
Hg1·xCdxTe·CdTe异质结构中的Hg1·xCdxTe以上带隙光致发光和界面通道
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Xiren Chen;Shaoling Guo;Li He;邵军
  • 通讯作者：
    邵军
Photoionization absorption and zero-field spin splitting of acceptor-bound magnetic polaron in p-type Hg1-xMnxTe single crystals
p型Hg1-xMnxTe单晶中受主束缚磁极化子的光电离吸收和零场自旋分裂
  • DOI：
    10.14220/9783737013529.151
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Lu; Xiang;Zhu; Junyu;Tang; Xiaodong;Chu; Junhao
  • 通讯作者：
    Junhao
Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices
界面对II型InAs/GaSb超晶格结构和光学性质的影响
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2014.08.020
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Yang Wei;Yanhua Zhang;Kai Cui;Jun Shao
  • 通讯作者：
    Jun Shao

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  • 通讯作者：
    邵军
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  • 通讯作者：
    刘君华

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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