新型三维超结表面低阻通道横向功率MOS器件

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    60576052
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    25.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0404.半导体电子器件与集成
  • 结题年份:
    2008
  • 批准年份:
    2005
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2006-01-01 至2008-12-31

项目摘要

高速、低损耗、可集成的功率器件是目前功率半导体乃至集成电路研究的热点。本项目首次提出三维超结(super junction)表面低阻通道横向功率MOS器件――SLOP-LDMOS (surface low on-resistance path lateral double-diffusion MOS)新结构。新结构引入的三维超结位于横向功率器件漂移区浅表面,通过三维超结结构的Z方向电场以提供开态时的低阻通道,器件主要耐压仍由三维超结下的常规RESURF结构所承担,异于习用超结作为耐压层以同时提供耐压和低阻的思路。新结构为一普适结构,可扩展到其它功率器件研究中,易于集成,能实现高速、高压、低阻且与低压器件兼容的目的。本项目是一项具有国际先进水平的基础性开拓研究,具有重要意义。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(0)
高阻衬底上具有n~+浮空层的横向Super Junction MOSFETs(英文)
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    半导体学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    段宝兴;张波;李肇基
  • 通讯作者:
    李肇基
A Novel Super-Junction LDMOST Concept with Split p column s
具有分裂 p 柱的新型超级结 LDMOST 概念
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    Journal of Electronic Science and Technology of China
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    ZHANG Bo;CHEN Lin;ZHENG Xin
  • 通讯作者:
    ZHENG Xin
High-Voltage SOI SJ-LDMOS With a Nondepletion Compensation Layer
具有非耗尽补偿层的高压 SOI SJ-LDMOS
  • DOI:
    10.1109/led.2008.2008208
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    IEEE Electron Device Letters
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Wenlian Wang;Bo Zhang
  • 通讯作者:
    Bo Zhang

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  • 作者:
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其他文献

A 800 V dual conduction paths segmented anode LIGBT with low specific on-resistance and small shift voltage
具有低比导通电阻和小移位电压的 800 V 双导通路径分段阳极 LIGBT
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    --
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    李肇基
Solvent-vapour treatment induced performance enhancement of amplified spontaneous emission based on poly[2-methoxy-5-(2 ' -ethyl-hexyloxy)-1, 4-phenylene vinylene]
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2011-05-15
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    武文彬
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  • DOI:
    10.1128/jb.00818-13
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    吴奔;张波
  • 通讯作者:
    张波
粗面玄武岩熔融-结晶过程中角闪石-熔体二面角:温度和压力的影响
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    赵东宇;张波;胡贤旭;范大伟;周文戈;谢鸿森
  • 通讯作者:
    谢鸿森
基于判别图模型的激光点云数据关联决策
  • DOI:
    10.1007/s10237-017-0978-3
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
    控制与决策
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    孙作雷;张波;曾连荪;朱大奇
  • 通讯作者:
    朱大奇

其他文献

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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