ZnO薄膜材料生长与器件研制
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60876013
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:34.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:王超; 迟耀丹; 高晓红; 赵春雷; 唐巍; 王晓丽; 王恩实; 马仙梅; 荆海;
- 关键词:
项目摘要
ZnO是新兴的一种宽禁带半导体材料,在375nm以下对可见光无响应。采用ZnO作薄膜晶体管的沟道层材料可以制备出新型平板显示器件,这种新型薄膜晶体管与传统硅基显示器件相比器件不需遮光,可以简化器件的制备工艺,同时,可以显著提高显示器的开口率(有效像素占总面积比例),且在器件运行稳定性等方面可以得到提高。本课题利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备,采用PECVD方法在无碱(Corning)玻璃、GaN、蓝宝石等衬底上生长二氧化硅、氮化硅以及复合二氧化硅/氮化硅的绝缘层;利用金属有机化学气相沉积设备,射频磁控溅射台,采用MOCVD、RF射频磁控溅射两种方法在硅、蓝宝石,以及二氧化硅、氮化硅、复合二氧化硅/氮化硅的绝缘层等衬底材料上生长ZnO薄膜材料,测试材料性能;利用生长出的高阻、透明氧化锌薄膜材料,研制新型ZnO基全透明薄膜晶体管,并实现器件在显示领域的初步应用。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(1)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Growth of ZnO Films on Different Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
金属有机化学气相沉积法在不同基底上生长 ZnO 薄膜
- DOI:--
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
不同氧气分压下MOCVD法氧化锌薄膜生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
The ZnO films growth at different temperature on the substrate of Corning glass by MOCVD
MOCVD在康宁玻璃衬底上不同温度下生长ZnO薄膜
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
The growth of ZnO films under different oxygen partial pressures by metal organic chemical vopour deposition
不同氧分压下金属有机化学气相沉积ZnO薄膜的研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
The fabrication of ZnO thin film transistors based on the substrate of glass
基于玻璃衬底的ZnO薄膜晶体管的制备
- DOI:--
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- 作者:
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