肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    10774090
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    林兆军
  • 依托单位：
    山东大学
  • 学科分类：
    A2004.凝聚态物质电子结构
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

近些年来，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）一直作为半导体电子器件研究领域的热点而引起人们的广泛关注和极大兴趣。AlGaN/GaN异质结构的肖特基接触是AlGaN/GaN HFET的重要组成部分，肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变的影响至今未见有报道，而肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变的影响将改变AlGaN/GaN异质结构二维电子气密度等相关参数，由此对AlGaN/GaN HFET器件特性产生重要影响。本项目拟在通过AlGaN势垒层面极化电荷密度的分析计算，获取肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响的信息，研究肖特基金属电子与AlGaN势垒层界面相互作用的机制，建立肖特基金属对AlGaN/GaN异质结构AlGaN势垒层应变影响的作用模型，以此推动GaN基电子器件研究的深入和发展。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（6）
专利数量（0）
Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
应变 AlGaN/GaN 异质结构中 AlGaN 势垒层应变变化引起的与散射相关的电子迁移率
  • DOI：
    10.1063/1.2798500
  • 发表时间：
    2007-10-22
  • 期刊：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Zhao, Jianzhi;Lin, Zhaojun;Wang, Zhanguo
  • 通讯作者：
    Wang, Zhanguo
Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructures
Ni肖特基接触厚度对应变Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构二维电子气片载流子浓度的影响
  • DOI：
    10.1088/1674-4926/31/8/084007
  • 发表时间：
    2010-08
  • 期刊：
    Journal of Semiconductors
  • 影响因子：
    5.1
  • 作者：
    林兆军
  • 通讯作者：
    林兆军
Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures
退火欧姆接触金属对应变 AlGaN/GaN 异质结构电子迁移率的影响
  • DOI：
    10.1088/1674-4926/30/10/102003
  • 发表时间：
    2009
  • 期刊：
    Journal of Semiconductors
  • 影响因子：
    5.1
  • 作者：
    林兆军
  • 通讯作者：
    林兆军
Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
应变 AlGaN/GaN 异质结构中 AlGaN 势垒层相对介电常数的测定
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/18/9/060
  • 发表时间：
    2009-09
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Chen Hong;Wang Zhan-Guo;Lue Yuan-Jie;Zhang Yu;Lu Wu;Zhao Jian-Zhi;Lin Zhao-Jun;Corrigan, Timothy D.
  • 通讯作者：
    Corrigan, Timothy D.
The influence of Schottky contact metals on the strain of AlGaN barrier layers
肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变的影响
  • DOI：
    10.1063/1.2841328
  • 发表时间：
    2008-02-15
  • 期刊：
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Lin, Zhaojun;Zhao, Jianzhi;Lu, Wu
  • 通讯作者：
    Lu, Wu

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
AlGaN/AlN/GaN 肖特基势垒二极管肖特基接触下串联电阻的测定
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/21/1/017103
  • 发表时间：
    2012-01
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    林兆军
  • 通讯作者：
    林兆军
Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
AlGaN/AlN/GaN 异质结构场效应晶体管线性区的电子迁移率
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/22/6/067203
  • 发表时间：
    2013-06
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    林兆军
  • 通讯作者：
    林兆军

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
empty
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林兆军的其他基金

极化库仑场散射应用于GaN基异质结场效应晶体管器件建模的研究
  • 批准号：
    11974210
  • 批准年份：
    2019
  • 资助金额：
    62 万元
  • 项目类别：
    面上项目
极化库仑场散射与GaN基异质结场效应晶体管源、漏寄生串联电阻关联关系研究
  • 批准号：
    11574182
  • 批准年份：
    2015
  • 资助金额：
    72.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中与AlGaN势垒层应变分布相关的载流子散射机制研究
  • 批准号：
    11174182
  • 批准年份：
    2011
  • 资助金额：
    68.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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