7稀土金属离子注入氮化镓制备发白光芯片
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10345006
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:10.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A3003.离子注入及离子束材料改性
- 结题年份:2004
- 批准年份:2003
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2004-01-01 至2004-12-31
- 项目参与者:赵文宽; 叶明生; 付强; 路险峰;
- 关键词:
项目摘要
GaN对稀土元素的光发射无吸收、热猝灭程度低,非常适合于稀土金属掺杂。跟有机光发射二极管和传统的异质结二极管相比,掺稀土元素的GaN电致发光管光发射谱线窄,器件结构简单。目前已实现了掺稀土元素Eu发红光,掺Er发绿光,掺Tm发蓝光,而且三基色光都可在室温下获得,发光强度高,肉眼清晰可见。在CIE色度图上,GaN:Eu(红光) GaN:Er(绿光) GaN:Tm(兰光)的x、y坐标非常接近NTSC电
结项摘要
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