硅基含铜铁电薄膜异质结集成研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60876055
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:33.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0404.半导体电子器件与集成
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:郭庆林; 娄建中; 边芳; 周阳; 郭建新; 郭颖楠; 赵敬伟;
- 关键词:
项目摘要
本项目以实现含铜硅基铁电器件尤其是铁电存储器的集成为目的,应用磁控溅射和溶胶凝胶沉积法,借助Ni-Al等金属间化合物薄膜作阻挡层,在硅衬底上生长Cu薄膜,研究Ni-Al等的组分、结晶状态、厚度、杂质含量等对Cu薄膜的结构、界面状态、输运性质等影响,探讨Ni-Al等金属间化合物薄膜用作阻挡层的失效机理。应用透射电镜、X射线衍射等技术研究Cu薄膜上面继续生长氧化物铁电薄膜异质结后的结构、应力、界面、成分等,揭示硅基复合集成异质结的微结构、界面与生长温度等的关系。应用第一性原理研究金属间化合物薄膜杂质的影响和界面性质。通过光刻等手段制备铁电电容器,进行疲劳、保持等铁电性能的研究。本项目的完成可以为金属间化合物阻挡层的研究提供基础,发现能够满足氧化物铁电薄膜异质结、Cu薄膜和Si衬底同时集成的阻挡层材料,对含Cu硅基铁电器件的发展具有重要意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(42)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
氢对PbZr0.5Ti0.5O3在氮氢混合气氛退火中铁电性能的影响
- DOI:10.3866/pku.whxb20090133
- 发表时间:2008-12
- 期刊:赵庆勋, 耿波, 王书彪, 边芳, 关丽, 刘保亭, “氢对PbZr0.5Ti0.5O3在氮氢混合气氛退火中铁电性能的影响”,物理化学学报,29 183-186 (2009).
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Barrier Performance of Various Thick Polycrystalline Ni–Al Films for Integrating PbZr0.4Ti0.6O3 Capacitors on Si
用于Si上集成PbZr0.4Ti0.6O3电容器的各种厚多晶Ni-Al薄膜的势垒性能
- DOI:10.1149/1.3365060
- 发表时间:2010-06
- 期刊:Journal of The Electrochemical Society
- 影响因子:3.9
- 作者:
- 通讯作者:
Simulation of hysteresis loops for polycrystalline ferroelectrics by an extensive Landau-type model
通过扩展朗道型模型模拟多晶铁电体的磁滞回线
- DOI:10.1016/j.physleta.2009.09.050
- 发表时间:2009-11
- 期刊:Physics Letters A
- 影响因子:2.6
- 作者:R. Yimnirun;T. Sareein;傅广生;王英龙;王兴远;刘保亭;N. Wongdamnern;梁伟华;褚立志;邓泽超
- 通讯作者:邓泽超
沉积温度对BiFeO3薄膜结构和性能的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:赵庆勋,魏大勇,王宽冒,马继奎,刘保亭,王英龙,“沉积温度对BiFeO3薄膜结构和性能的影响”,人工晶体学报, 39, 1396-1400 (2010).
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Epitaxial SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3 heterostructure sputtered at low temperature
低温溅射外延 SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3 异质结构
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2010.12.024
- 发表时间:2011-02
- 期刊:JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
- 影响因子:1.8
- 作者:Zhao, Q. X.;Ma, J. K.;Wei, D. Y.;Wang, K. M.;Li, X. H.;Zhang, X. Y.;Liu, B. T.
- 通讯作者:Liu, B. T.
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- 期刊:人工晶体学报
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- DOI:10.1016/j.physleta.2010.10.013
- 发表时间:2010-11
- 期刊:Physics Letters A
- 影响因子:2.6
- 作者:王英龙;王兴远;傅广生;刘洋;刘保亭
- 通讯作者:刘保亭
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