RTCVD结合SLS技术在SiO2隔离层上高速制备大晶粒多晶硅薄膜研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50802118
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:邓幼俊; 徐华毕; 刘超; 陈萼; 梁学勤;
- 关键词:
项目摘要
快速热化学气相沉积(RTCVD)在陶瓷等廉价耐高温衬底上制备多晶硅薄膜电池是一条最有可能实现产业化的薄膜电池技术。为了阻止衬底中杂质向硅活性层的扩散,需要在两者之间制备一层隔离层。因RTCVD在隔离层上沉积的多晶硅膜的晶粒尺寸太小,而无法制成性能良好的电池,人们通常使用区熔再结晶(ZMR)技术来增大晶粒尺寸。尽管RTCVD+ZMR+廉价耐高温衬底技术已制备出效率超过10%的薄膜电池,但是该技术迟迟不能产业化,其主要原因是使用了高成本、工艺复杂、难以产业化的ZMR技术。针对这一问题,本项目创新性地提出用已产业化的顺序横向固化(SLS: Sequential Lateral Solidification)技术代替ZMR技术,有选择性地晶化籽晶层的一些区域作为成核点,然后用RTCVD在其上外延硅薄膜。该技术路线有望实现RTCVD在隔离层上高速制备厚约35μm的大晶粒多晶硅薄膜的目标。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(6)
专利数量(0)
Application of phosphorus diffusion gettering process on upgraded metallurgical grade Si wafers & solar cells
磷扩散吸杂工艺在升级冶金级硅片上的应用
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Growth behavior of polycrystalline silicon thin films deposited by RTCVD on quartz substrates
RTCVD 石英衬底上沉积多晶硅薄膜的生长行为
- DOI:10.1007/s11434-010-3036-4
- 发表时间:2010-07
- 期刊:Chinese Science Bulletin
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Selected area laser-crystallized polycrystalline silicon thin films by a pulsed Nd:YAG laser with 355 nm wavelength
使用 355 nm 波长的脉冲 Nd:YAG 激光进行选区激光结晶多晶硅薄膜
- DOI:10.1088/1674-4926/32/12/123002
- 发表时间:2011-12
- 期刊:Journal of Semiconductors
- 影响因子:5.1
- 作者:
- 通讯作者:
Observation on Defects in Poly-Si Films Prepared by RTCVD Under Nonideal Conditions
非理想条件下RTCVD制备多晶硅薄膜的缺陷观察
- DOI:10.1007/s11664-010-1145-0
- 发表时间:2010-03
- 期刊:Journal of Electronic Materials
- 影响因子:2.1
- 作者:
- 通讯作者:
RTCVD沉积在石英衬底上的多晶硅薄膜的生长习性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:科学通报. 2010年第7期, 619-623
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
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