HfMxOy栅介质/应变Si堆叠结构界面及特性研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    50802005
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万
  • 负责人：
    黄安平
  • 依托单位：
    北京航空航天大学
  • 学科分类：
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

成功制备并应用于特征长度为45纳米晶体管的铪（Hf）基高k栅介质材料（k：介电常数），是基于其高的k值与低的漏电和能耗特性。随着器件特征长度的缩短，需要具有更加优异介电性能的新型高k材料。而Hf基高k栅介质的引入，引起沟道区载流子迁移率较大幅度地下降，可以通过应变Si技术得到改善。本课题将结合Hf基高k材料与应变Si技术各自的优势，以应变Si为衬底，利用超高真空多靶磁控溅射等技术，开展稀土元素(如Lu、Sr等)掺杂的Hf基高k栅介质薄膜（HfMxOy，M：稀土金属元素）研究。在探明稀土元素掺杂对HfMxOy薄膜微结构与电学特性影响的基础上，系统研究HfMxOy薄膜与应变Si衬底间界面相互作用机理，以及HfMxOy薄膜/应变Si界面产物的抑制，更多地探索HfMxOy栅介质/应变Si堆叠结构的各项电学参数，以改善栅介质层的质量，提高器件的运行速度，拓展Hf基高k薄膜在45纳米以下器件中的应用。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（14）
专著数量（1）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Donor doping process and white light generation in CaMoO(4) powders with multivalence Pr codoping
多价 Pr 共掺杂 CaMoO(4) 粉末中的施主掺杂过程和白光产生
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Progress in rare earth doped Hf-based high-k gate dielectrics
稀土掺杂铪基高k栅介质的研究进展
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
金属栅极/高 k/超薄 SiO2/Si p 沟道金属氧化物半导体堆栈中平带电压急剧滚降的起源
  • DOI：
    10.1063/1.3491292
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOxSi stack
TiN/LaN/AlN/HfSiOxSi 叠层中双覆盖层的扩散行为
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
界面偶极子在金属栅极/掺铝高 k 有效功函数调制中的作用
  • DOI：
    10.1063/1.3159830
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
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  • 作者：
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其他文献

Friedel-Crafts acylation reactions using catalytic SbCl5-TEBA complex as an efficient catalyst
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  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Chinese Chem. Lett
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    梁永民;黄安平;刘雪原;李莲花;武小莉;刘为民
  • 通讯作者：
    刘为民
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  • DOI：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
    应用光学
  • 影响因子：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
    王金良
快慢光效应与光增益对光波导陀螺灵敏度的影响
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    科学通报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    邓思盛;肖志松;燕路;张峰;张浩;赵龙;黄安平
  • 通讯作者：
    黄安平
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  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
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  • 作者：
    黄安平;郑晓虎;肖志松;王玫
  • 通讯作者：
    王玫
硅基光子器件研究进展及其在光陀螺与光通信中的应用
  • DOI：
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  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    中国激光(EI收录)
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    黄安平;张峰;周博;肖志松;燕路;朱放
  • 通讯作者：
    朱放

其他文献

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黄安平的其他基金

BP/POx层状结构离子隧穿调控机制及其神经形态应用探索
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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