二维无机纳米材料异质结构的合成与表征

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    21301032
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    25.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    B0104.无机合成
  • 结题年份:
    2016
  • 批准年份:
    2013
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2014-01-01 至2016-12-31

项目摘要

Since 2004, a series of important single-layer 2D materials, including graphene (semi-metal), MoS2 (semiconductor) and h-BN (insulator), have been synthesized with chemical methods and heavily investigated. As the research moves on, people start to think how to integrate different 2D materials into more useful and mulit-functional devices. The key of this integration is to make chemically compatible 2D material hetero-junctions, both laterally and vertically, and understand the special properties inside the junction. This new hetero-junction structure could potentially change the direction of future electronics and opto-electronics. In our research, we propose level-1 to level-n graphene/MoS2/BN hetero-junction structures in both lateral and vertical directions, through lithography, pattern etching and step-CVD growth methods. Spectroscopics, high resolution TEM and electrical transport techniques will be used to characterize the chemical bonding and physical properties inside the hetero-junction region. This research bears a great merit to understand the unique behaviors between different 2D materials, helps to build the library of techniques which could be the basis for designing new 2D hetero-junction opto-electronics and other potential applications.
自 2004年以来,一些重要的单层二维材料,包括石墨烯(半金属)、MoS2(半导体)和h-BN(绝缘体)相继通过化学的方法被合成出来,其物性也逐步得到深入的研究。目前,新的研究开始尝试将不同的二维无机纳米材料整合成为更加复杂的功能器件。这种整合的关键是掌握不同二维无机纳米材料异质结构(平面或垂直方向的异质结构)的合成方法并研究其相应区域特殊的物理性质。理论和实验表明,这种新型异质结构有望在电子学、光电子学方面产生重大的应用。 本研究课题拟通过多次光(或电子束)曝光、掩膜刻蚀和分步CVD生长的方法,在平面或垂直方向上构建以石墨烯、MoS2和BN为基础的一级或多级异质结构。 通过光谱学,高分辨电子显微镜和电输运等表征方式,研究异质结区域内具体的化学键结构以及相应的物理性质。这些研究有助于理解二维材料异质结构的潜在应用,实现自主知识产权的技术储备,为设计新型的二维异质结构光、电子器件奠定基础。

结项摘要

自青年科学基金项目“二维无机纳米材料异质结构的合成与表征”立项以来,国际上该领域的发展十分迅速,目前已经有多种重要的二维无机材料异质结构(石墨烯-六方氮化硼、硫化钼-硫化钨等垂直或平面异质结)相继被合成和报道出来。 课题组在此青年科学基金的资助下,结合国家青年千人计划的启动经费支持,迅速建立团队和实验平台,在该领域打下了较好的基础。具体的工作包括:可控制备大尺寸石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼、碳化钼、碲化钼等二维材料单晶或薄膜;制备石墨烯-六方氮化硼平面异质结;制备可3D打印的石墨烯复合材料;制备具有纯净、稳定石墨烯结构的电化学电极;制备可编程二维p-n结等一系列工作。这些研究从基础的二维无机纳米材料单元的可控化学合成开始,通过与其它二维材料、高分子甚至化学电解液的多相、多组分相互作用,实现了从光学、电子、机械加工以及电化学等方面的优良特性。未来我们将继续专注在具有特殊异质结构的二维材料的各种原型器件,挖掘它们在能源、电子领域的巨大潜力。

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
3D Printable Graphene Composite.
3D 可打印石墨烯复合材料
  • DOI:
    10.1038/srep11181
  • 发表时间:
    2015-07-08
  • 期刊:
    Scientific reports
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Wei X;Li D;Jiang W;Gu Z;Wang X;Zhang Z;Sun Z
  • 通讯作者:
    Sun Z

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其他文献

其他文献

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二维材料的功能化外延生长和仿生电子器件
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  • 批准年份:
    2020
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  • 项目类别:
    面上项目

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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