纳米尺度半导体器件中热的产生与输运问题研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60776068
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:7.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2008
- 批准年份:2007
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2008-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:杜刚; 张维; 杨竞锋; 宋云成; 杨佳琦; 赵凯;
- 关键词:
项目摘要
本课题研究将面向纳米尺度下集成电路中的主流器件和未来可望解决体硅CMOS所遇到挑战的新材料、新结构器件;研究纳米尺度下半导体器件中热产生的机理、模型和准确的模拟方法;研究纳米尺度下,半导体器件中声子的非稳态输运及相应的热传导机制和散热过程,建立纳米尺度下的散热模型和准确的模拟方法;探索研究器件中声子输运对载流子输运特性的影响,研究纳米尺度下器件的热学特性和电学特性的耦合过程,发展相应的模型和模拟方法;在上述模型和模拟方法的基础上,研究纳米尺度下集成电路中热管理的方法和策略;研究和评估新材料、新结构器件中的产热和散热问题,开展新材料、新结构器件中电学和热学性能共同优化的设计方法研究。为纳米尺度集成电路的设计提供工具,为我国集成电路科学技术的可持续发展奠定基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Quantum mechanical effects on heat generation in nano-scale MOSFETs
量子力学效应对纳米级 MOSFET 发热的影响
- DOI:10.1088/1674-1056/17/5/054
- 发表时间:2008-05
- 期刊:Chinese Physics B
- 影响因子:1.7
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- 作者:简兆权;刘晓彦;李雷
- 通讯作者:李雷
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