非极性面ZnO/ZnCdO量子阱结构LED外延材料生长与器件制备研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    51002058
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万
  • 负责人：
    戴江南
  • 依托单位：
    华中科技大学
  • 学科分类：
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份：
    2013
  • 批准年份：
    2010
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2011-01-01 至2013-12-31

项目摘要

ZnO在制备蓝紫发光二极管（LED）、紫外半导体激光器等方面具有重要应用前景。目前沿传统极性轴c方向生长的ZnO材料与器件还存在p型掺杂困难、量子阱结构LED发光效率受自发极化和压电极化效应影响严重等问题。本课题拟采用MOCVD技术，以晶格匹配度高的非极性面a-GaN/r-Al2O3模板为衬底，并结合凹槽图案化横向外延生长技术，进行高质量非极性a面ZnO薄膜及其ZnO/ZnCdO量子阱结构的生长研究。非极性面的选取，既可为ZnO薄膜的 p型掺杂问题提供可能的解决途径，又可消除极化效应对ZnO基量子阱结构LED发光效率等的不利影响。通过优化非极性面ZnO薄膜生长参数、n型与p型掺杂工艺、ZnO/ZnCdO量子阱结构生长以及欧姆接触电极制作工艺等，同时深入研究材料与器件质量提升过程中如量子限制Stark效应等基本物理问题，最终研制出基于非极性面ZnO/ZnCdO量子阱结构的LED发光器件。

结项摘要

ZnO在制备蓝紫发光二极管（LED）、紫外半导体激光器等方面具有重要应用前景。目前沿传统极性轴c方向生长的ZnO材料与器件还存在p型掺杂困难、量子阱结构LED发光效率受自发极化和压电极化效应影响严重等问题。本课题基于目前极性面ZnO基LED中存在的问题进行非极性面材料学研究。首先通过MOCVD脉冲原子层沉积结合图案化蓝宝石衬底技术，获得了表面平均粗糙度（RMS）为1.2 nm，（11-20）XRC半高宽仅为0.19°，位错密度为1E7 cm-2的a-GaN薄膜。在此基础上，对其表面进行进行凹槽图案化，并以此为模板进行a-ZnO薄膜的不同生长温度下的生长研究。研究表面，随着生长温度的升高，ZnO薄膜表面逐渐改善，当生长温度为600℃时，得到了结构致密、单一取向的a面ZnO薄膜。最后采用PLD技术，在a-GaN/r-sapphire模板上进行了势垒层a-MgZnO的材料生长研究，获得了Mg含量为12 at%，RMS为3.536 nm，XRC半高宽沿c方向为0.316°，沿m方向为0.6°的a-MgZnO薄膜。该结果已达到国际水平。

项目成果

期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（3）
专利数量（0）
Improved Ohmic contacts to plasma etched n-Al0.5Ga0.5N by annealing under nitrogen ambient before metal deposition
通过金属沉积前在氮气环境下退火，改善等离子蚀刻 n-Al0.5Ga0.5N 的欧姆接触
  • DOI：
    10.1063/1.4794099
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Zhang; Wei;Zhang; Jianbao;Wu; Zhihao;Chen; Shengchang;Li; Yang;Tian; Yu;Dai; Jiangnan;Chen; Changqing;Fang; Yanyan
  • 通讯作者：
    Yanyan
Effect of growth temperature of an AlN intermediate layer on the growth mode of AlN grown by MOCVD
AlN中间层生长温度对MOCVD生长AlN生长模式的影响
  • DOI：
    10.1088/0022-3727/46/6/065303
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Journal of Physics D: Applied Physics
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Chen; C. Q.;Yan; W. Y.;Dai; J. N.;Li; S. L.;Tian; Y.;Hui; Xiong;Zhang; J. B.;Fang; Y. Y.;Wu; Z. H.
  • 通讯作者：
    Z. H.
Tunability of intersubband transition wavelength in the atmospheric window in AlGaN/GaN multi-quantum wells grown on different AlGaN templates by metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积在不同 AlGaN 模板上生长的 AlGaN/GaN 多量子阱大气窗口中子带间跃迁波长的可调性
  • DOI：
    10.1063/1.4754543
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    C. Q. Chen;W. Y. Yan;Xiong Hui;S. L. Li;Y. Y. Din;Y. Li;Y. Tian;J. N. Dai;Y. Y. Fang
  • 通讯作者：
    Y. Y. Fang
Effects of the AlN buffer layer thickness on the properties of ZnO films grown on c-sapphire substrate by pulsed laser deposition
AlN缓冲层厚度对c型蓝宝石衬底上脉冲激光沉积ZnO薄膜性能的影响
  • DOI：
    10.1016/j.jallcom.2012.08.117
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Journal of Alloys and Compounds
  • 影响因子：
    6.2
  • 作者：
    Xiong; H.;Dai; J. N.;Hui; Xiong;Fang; Y. Y.;Tian; W.;Fu; D. X.;Chen; C. Q.;Li; Mingkai;He; Yunbin
  • 通讯作者：
    Yunbin
The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
AlN成核温度对金属有机化学气相沉积AlN薄膜生长的影响
  • DOI：
    10.1007/s11664-011-1798-3
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Journal of Electronic Materials
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    H. WANG;S.L. LI;H. XIONG; .;Z.H. WU;J.N. DAI;Y. TIAN;Y.-Y. FANG;C.Q. CHEN
  • 通讯作者：
    C.Q. CHEN

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

GaN基多量子阱红外探测器研究进展(特邀)
  • DOI：
    10.3788/irla20211020
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    红外与激光工程
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吴峰;戴江南;陈长清;许金通;胡伟达
  • 通讯作者：
    胡伟达

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
empty
内容获取失败，请点击重试
重试联系客服
title开始分析
查看分析示例
此项目为已结题，我已根据课题信息分析并撰写以下内容，帮您拓宽课题思路：

AI项目思路

AI技术路线图

戴江南的其他基金

基于光电倍增循环结构的GaN/AlN量子阱Far-UVC LED器件研究
  • 批准号：
    62174061
  • 批准年份：
    2021
  • 资助金额：
    60 万元
  • 项目类别：
    面上项目
深紫外LED对新型冠状病毒的灭活机理及其在疫情防控中的应用探索研究
  • 批准号：
    62041401
  • 批准年份：
    2020
  • 资助金额：
    20 万元
  • 项目类别：
    专项基金项目
AlGaN基深紫外激光器的光场调控及高效电注入器件研究
  • 批准号：
    61774065
  • 批准年份：
    2017
  • 资助金额：
    67.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了

AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
关闭
close
客服二维码