硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60046001
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:15.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2002
- 批准年份:2000
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2000-09-01 至2002-12-31
- 项目参与者:张昊翔; 黄靖云; 郭兵; 赵炳辉; 何乐年; 卢焕明; 汪雷; 王宇; 蒋良俊;
- 关键词:
项目摘要
采用热壁外延技术,通过生长工艺参数的调整和控制,全理设计界面过渡层,在硅单晶上生长氮化镓单晶薄膜材料。解决硅单晶与氮化镓大失配异质外延的关键技术问题。研究氮化镓异质生长的热力学和动力学。问题通过的效地控制杂质缺陷,降低氮化镓背景电子浓度。采用掺杂的方法,形成PN结,然后通过电极制备与封装,制备出硅基氮化镓发蓝光二极管。
结项摘要
项目成果
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- 作者:何海平;朱影;雷萌;叶志镇
- 通讯作者:叶志镇
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- DOI:--
- 发表时间:2011
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- 影响因子:--
- 作者:袁伟;朱丽萍;曹铃;叶志镇
- 通讯作者:叶志镇
其他文献
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