基于硅基一维纳米线的Gate-all-around纳米晶体管的研究

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基本信息

  • 批准号：
    61176101
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    52.0万
  • 负责人：
    汪涛
  • 依托单位：
    浙江大学
  • 学科分类：
    F0406.集成电路器件、制造与封装
  • 结题年份：
    2015
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2015-12-31

项目摘要

基于硅基一维纳米线的纳米晶体管是当今一个热点研究课题，该器件是未来纳米器件的主要发展方向之一，本研究是一项理论和实验相结合的课题：.理论方面分三个层次:首先采用ab inito模拟方法对硅纳米线进行理论分析和探讨，与新加坡国立大学梁教授展开合作研究,附具体研究计划，其次采用工艺模拟软件实现器件制备的工艺仿真，再次器件层次模拟实现三维硅纳米管的gate-all-around器件的性能仿真。.实验方面要在SOI 晶片上制备出Gate-all-around晶体管并完成测试，其关键技术硅纳米线的制备技术已经被我团队突破，我们采用自上而下的正向方法制备出空间上垂直排列相互平行的多条硅纳米线，其最小尺寸到达9纳米，自下而上地化学催化合成硅纳米管的技术也具备。在此基础上将整合团队多年器件制备的经验成功制备纳米gate-all-around器件，解决微电子行业10年后产业发展瓶颈，有前瞻性和自主知识产权。

结项摘要

基于硅基一维纳米线的纳米晶体管是当今一个热点研究课题，该器件是未来纳米器件的主要发展方向之一，本研究是一项理论和实验相结合的课题：.理论方面采用工艺模拟软件实现器件制备的工艺仿真,和我们特殊的工艺制备完全一致，还采用非平衡格林函数对硅纳米线及硅纳米管的传输特性、光电流特性等进行仿真和模拟。.实验方面要在SOI 晶片上制备出Gate-all-around晶体管并完成测试，其关键技术硅纳米线的制备技术已经被突破，我们采用自上而下的正向方法制备出空间上垂直排列相互平行的多条硅纳米线，其最小尺寸到达9纳米，该工艺经过反复验证，重复率高、切实可行，如果配合电子束曝光或者采用业界先进工艺一步刻蚀出50纳米左右的线宽，非常容易获得一致相当好的硅纳米线，该技术是现有制备硅纳米线中最简单、成本最低的，适合业界的工业大批量生产，具有一定的潜在商业价值，希望该计算能够和美国伯克利Fin FET技术一样，日后获得业界认可，用于10纳米以下产品中。我们在此基础上成功制备的硅纳米线为导电沟道的gate-all-around（环栅）晶体管，导通关断比达到10的8次方，为解决微电子行业10年后产业发展瓶颈提供一种技术解决方案、一种可能性，有前瞻性和自主知识产权。

项目成果

期刊论文数量（25）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（6）
专利数量（0）
Improvement of Ni Silicide Thermal Stability By Using Vanadium Elements
利用钒元素提高硅化镍的热稳定性
  • DOI：
    10.1080/02673037.2017.1291916
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Liu Yan;Liu Min;Wang Tao;Tuya; A.
  • 通讯作者：
    A.
Abnormal oxidation in nickel silicide and nickel germanosilicide in sub-micro CMOS
亚微米CMOS中硅化镍和硅化镍镍​​的异常氧化
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/21/6/068502
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Chin. Phys. B
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    汪涛
  • 通讯作者：
    汪涛
The effect of h-BN buffer layers in bilayer graphene on Co (111)
双层石墨烯中h-BN缓冲层对Co(111)的影响
  • DOI：
    10.3938/jkps.66.1631
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    Journal of the Korean Physical Society
  • 影响因子：
    0.6
  • 作者：
    Wang; Tao;Guo; Qing;Sheng; Kuang;Yin; You
  • 通讯作者：
    You
AA bilayer graphene on Si-terminated SiO2 under electric field
电场下 Si 端接 SiO2 上的 AA 双层石墨烯
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/23/2/026802
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Liu Hai-Long;Liu Yan;Wang Tao;Ao Zhi-Min
  • 通讯作者：
    Ao Zhi-Min
Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory With Incorporated Nanostructures and Nanolayer for Reducing Reset Current
结合纳米结构和纳米层的相变存储器中的焦耳热局部化以减少复位电流
  • DOI：
    10.1109/ted.2015.2429689
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    Ieee Transactions ON Electron Devices
  • 影响因子：
    3.1
  • 作者：
    Yin; You;Wang; Tao
  • 通讯作者：
    Tao

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其他文献

基于Notch4和Delta4研究当归补血汤协同肌源性干细胞移植促造血重建的作用
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
    汪涛
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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    --
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    汪涛
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  • 发表时间：
    2016
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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