CMOS兼容的电容式气压传感器的设计与工艺研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60901009
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    22.0万
  • 负责人：
    聂萌
  • 依托单位：
    东南大学
  • 学科分类：
    F0123.敏感电子学与传感器
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2009
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

气压传感器是气象参数检测的主要器件之一。由于微机电系统(MEMS)技术的进步，基于MEMS的气压计是近年该领域的主要方向之一。本项目将基于标准CMOS工艺，创新性地利用CMOS集成电路工艺中的N阱作为电容式压力传感器下电极、CMOS工艺中金属引线层作为上电极，从而使上下极板的引线容易实现。通过工艺设计、结构设计和气压传感器的应用基础研究，设计出CMOS工艺兼容的气压传感器；对CMOS正面氧化层释放腐蚀、CMOS结构N阱的PN结自停止腐蚀和带有CMOS芯片封闭腔的静电键合工艺进行研究，研制出主要性能符合要求的气压传感器原理样品。.本项目的研究结果，将有助于利用标准CMOS工艺，有利于气压传感器与处理电路的单片集成，降低气压传感器的成本。

结项摘要

气压传感器是气象参数检测的主要器件之一。由于微机电系统(MEMS)技术的进步，基于MEMS的气压计是近年该领域的主要方向之一。本项目基于标准CMOS工艺，创新性的设计了三种与CMOS工艺兼容的气压传感器结构：单电容式压力传感器，基于霍尔效应的压力传感器，并联式电容压力传感器，并分别进行了工艺设计，解决须与CMOS工艺兼容的相关MEMS后处理单项工艺问题，对CMOS结构正面氧化层释放腐蚀、CMOS结构N阱的PN结自停止腐蚀和带有CMOS芯片封闭腔的静电键合工艺进行研究，使其达到可以利用CMOS标准工艺结合MEMS后处理工艺实现，并进行了流片测试，测试结果表明气压传感器样品性能良好。 本项目的研究结果，将有助于利用标准CMOS工艺实现MEMS气压传感器与处理电路的单片集成，降低气压传感器的成本，为下一步工程应用奠定了基础。

项目成果

期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（6）
专利数量（5）
Complementary metal-oxide semiconductor compatible capacitive barometric pressure sensor
互补金属氧化物半导体兼容电容式气压传感器
  • DOI：
    10.1117/1.3555125
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
    Journal of Micro/ Nanolithography, Mems, and Moems
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Nie, Meng;Huang, Qing-An;Yu, Hui-Yang;Qin, Ming;Li, Wei-Hua
  • 通讯作者：
    Li, Wei-Hua
与CMOS兼容的MEMS气压传感器工艺实现与性能分析
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    纳米技术与精密工程
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王艳春;黄庆安;聂萌;余辉洋;WANG Yan-chun 1,2,HUANG Qing-an 1,NIE Meng 1,YU Hu;2.Department of Mechanical;Electronic Engineer
  • 通讯作者：
    Electronic Engineer
CMOS电容式湿度传感器特性研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    电子器件
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    刘岩;赵成龙;聂萌;秦明;LIU Yan,ZHAO Chenglong,NIE Meng,QIN Ming~* (Key La
  • 通讯作者：
    LIU Yan,ZHAO Chenglong,NIE Meng,QIN Ming~* (Key La
MEMS Hall effect pressure sensor
MEMS 霍尔效应压力传感器
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Electronics Letters
  • 影响因子：
    1.1
  • 作者：
    Yu, Hui-yang;Qin, Ming;Nie, Meng
  • 通讯作者：
    Nie, Meng

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其他文献

基于黑磷烯/氧化石墨烯双介质层的柔性电容式压力传感器
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  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
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  • 影响因子：
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  • 作者：
    任翔宇;陈佳琦;徐峰;聂萌
  • 通讯作者：
    聂萌
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  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    电力系统保护与控制
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    雷正新;韩蓓;聂萌;甄颖;汪可友;李国杰
  • 通讯作者：
    李国杰
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  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    传感技术学报
  • 影响因子：
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  • 作者：
    聂萌;陈佳琦;徐峰
  • 通讯作者：
    徐峰

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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