Évaluation du potentiel commercial pour la nouvelle technologie sans silane pour le dépôt chimique en phase vapeur de films minces à base de silicium
无硅烷新型技术的商业潜力评估,用于薄膜、碎屑和硅基的蒸发相蒸发
基本信息
- 批准号:536743-2019
- 负责人:
- 金额:$ 1.09万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Idea to Innovation
- 财政年份:2018
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2018-01-01 至 2019-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
L'une des dernières étapes de la fabrication des cellules solaires en silicium est l'application de revêtements de passivation et antireflet afin d'optimiser l'efficacité de la cellule. Au cours de cette étape de fabrication, le silane (SiH4) est l'un des gaz spéciaux utilisés dans le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour générer les films minces à base de Si sur le dispositif photovoltaïque. Le problème avec SiH4 est sa pyrophoricité. En effet, le SiH4 est un gaz composé de silicium et d'hydrogène qui explose au contact de l'air. Il nécessite donc des procédures de sécurité et de manipulation coûteuses, multipliant les risques financiers et opérationnels des fabricants. Une invention, élaborée par des chercheurs de l'Université de Sherbrooke et de l'Université Bishop's, vise à être la «clé de l'amélioration des coûts de l'énergie solaire» en offrant aux fabricants de cellules solaires une solution peu coûteuse pour éliminer les risques du silane.**L'invention permet de produire un mélange de diméthylsilane et de triméthylsilane (DMS / TMS) à utiliser en tant que précurseur du procédé CVD de dépôt de films minces de grade électronique à base de Si (telles que, mais sans limiter : carbure, carbonitrure, oxycarbure, oxycarbonitrure). Ce précurseur peut remplacer le SiH4 dangereux, en le mélangeant avec du CH4, du C2H2 ou d'autres composés contenant du carbone, des précurseurs couramment utilisés aujourd'hui.**Cette étude de marché permettra tout d'abord de recenser les partenaires industriels potentiels et ceux ayant le plus d'intérêts envers le projet. L'objectif est de quantifier ce marché et d'en évaluer les caractéristiques, particulièrement au niveau des facteurs facilitant l'acceptation de notre technologie. Nous voulons aussi estimer la proportion des utilisateurs finaux qui seraient intéressés par un procédé CVD sans-silane comme le nôtre et voir comment notre procédé se positionne par rapport aux procédés concurrents (tant au niveau des caractéristiques techniques qu'au niveau des coûts). ******
硅太阳能电池制造的最后阶段是钝化和抗反射的应用,以优化电池的功效。化学气相沉积 (CVD) 和等离子体化学气相辅助 (PECVD) 技术可将硅基薄膜切碎,并形成硅基复合材料。 d'Hydrogen qui explose au contact de l'air. d'Hydrogen qui explose au contact de l'air. d'Hydrogen qui explose au contact de l'air. d'Hydrogen qui explose au contact de l'air. être la «clé de l'amélioration des coûts de l'énergie solaire» en offrant aux craftants de cellules solaires une peu coûteuse pour éliminer les lesques du不用硅烷。**L'invention permet de produire un mélange de dimethyl文字和de trimethyl文字( DMS/TMS) tant que précurseur du procédé CVD de dépôt de film minces degrade electronique à base de Si (telles que, mais sans limiter: carbure,carbonitrure, oxycarbure, du C2H2)。或其他碳素内容,请参考以下内容。市场行情和特性评价的量词,特别是促进接受非技术的事实。 ******
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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