Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy

晶格失配液相外延

基本信息

  • 批准号:
    RGPIN-2015-03718
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2017-01-01 至 2018-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

For decades researchers were limited to designing devices that were lattice-matched to a commercially available substrate; more recently, however, researchers have learned how to design around some lattice mismatch. This work has resulted in state-of-the-art, strained-Si transistors, efficient (world-record breaking) solar cells, and nobel-prize-winning LEDs. In this research program, the PI will develop advanced Liquid Phase Epitaxy (LPE is the least expensive way to grow high-quality semiconductors.) techniques to support and enable advanced semiconductor devices. Having worked in high-quality materials integration for 17 years, the PI has demonstrated the fundamental aspects of this proposal to grow high-quality Ge on Si, which will build a sturdy foundation for third-generation photovoltaics and other state-of-the-art devices. He now wants to demonstrate these techniques using LPE. The 4 Ph.D. students and 10 undergraduate students assigned to this program will gain valuable and broad experience in semiconductor materials growth, device fabrcation as well as materials and device characterization. The technology described in this proposal can be applied to a myriad of devices including large area electronics (like solar cells or displays), computer processors, and telecommunications. This work is expected to revitalize the field of LPE by bringing advanced techniques and reduce the cost for state-of-the-art devices.
几十年来,研究人员仅限于设计与商业可用基板搭配的设备。然而,最近,研究人员学会了如何围绕一些格子不匹配的设计。这项工作导致了最先进的,紧张的SI晶体管,有效的(世界纪录的破坏)太阳能电池和诺贝尔奖赢得的LED。在该研究计划中,PI将开发先进的液相外延(LPE是生长高质量半导体的最不昂贵的方法。)支持和启用高级半导体设备的技术。 PI在高质量的材料整合工作了17年后,已经证明了该提案在SI上增加高质量GE的基本方面,该提案将为第三代光伏和其他最先进的设备建立坚固的基础。他现在想使用LPE演示这些技术。 4博士学位分配给该计划的学生和10名本科生将在半导体材料的增长,设备工厂以及材料和设备表征方面获得宝贵而广泛的经验。该提案中描述的技术可以应用于无数设备,包括大面积电子设备(例如太阳能电池或显示器),计算机处理器和电信。预计这项工作将通过带来先进技术并降低最先进设备的成本来振兴LPE领域。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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