Study of cobalt germanidation for source/drain contacts in SiGe MOSFETs
SiGe MOSFET 源极/漏极接触钴锗化研究
基本信息
- 批准号：448986-2013
- 负责人：
- 金额：$ 0.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：University Undergraduate Student Research Awards
- 财政年份：2013
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2013-01-01 至 2014-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Koh, Ryan其他文献
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- 影响因子：2.9
- 作者：
Likitlersuang, Jirapat;Koh, Ryan;Marquez-Chin, Cesar - 通讯作者：
Marquez-Chin, Cesar
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