Studies of Radical Intermediates in Hot-Wire Chemical Vapor Deposition of Semiconductor Thin Films
半导体薄膜热丝化学气相沉积自由基中间体的研究
基本信息
- 批准号：299455-2004
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：University Faculty Award
- 财政年份：2008
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2008-01-01 至 2009-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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