Support for the UKCP consortium

支持 UKCP 联盟

基本信息

批准号：
EP/P022103/1
负责人：
David Bowler
金额：
$ 3.48万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2017
资助国家：
英国
起止时间：
2017 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FP022103%2F1
关键词：
Support UKCP consortium

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Polar Morphologies from First Principles: PbTiO 3 Films on SrTiO 3 Substrates and the p(2×?) Surface Reconstruction

第一原理中的极性形态：SrTiO 3 基底上的 PbTiO 3 薄膜和 p(2?) 表面重建

DOI：
http://dx.10.1002/adts.202000154
发表时间：
2020
期刊：
Advanced Theory and Simulations
影响因子：
3.3
作者：
Baker J
通讯作者：
Baker J

Subatomic electronic feature from dynamic motion of Si dimer defects in Bi nanolines on Si(001)

Si(001)上Bi纳米线中Si二聚体缺陷动态运动的亚原子电子特征

DOI：
http://dx.10.1103/physrevb.96.075304
发表时间：
2017
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Kirkham C
通讯作者：
Kirkham C

Encapsulation and Polymerization of White Phosphorus Inside Single-Wall Carbon Nanotubes

单壁碳纳米管内白磷的封装和聚合

DOI：
http://dx.10.1002/ange.201703585
发表时间：
2017
期刊：
Angewandte Chemie
影响因子：
0
作者：
Hart M
通讯作者：
Hart M

Exact location of dopants below the Si(001):H surface from scanning tunneling microscopy and density functional theory

根据扫描隧道显微镜和密度泛函理论确定 Si(001):H 表面下方掺杂剂的精确位置

DOI：
http://dx.10.1103/physrevb.95.075408
发表时间：
2017
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Brázdová V
通讯作者：
Brázdová V

DFT study of undoped and As-doped Si nanowires approaching the bulk limit.

接近体积极限的未掺杂和砷掺杂硅纳米线的 DFT 研究。

DOI：
http://dx.10.1088/1361-648x/ab4b3c
发表时间：
2020
期刊：
an Institute of Physics journal
影响因子：
0
作者：
Kumarasinghe C
通讯作者：
Kumarasinghe C

DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
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作者：
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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David Bowler其他文献

Augmentation of the Electron Counting Rule with Ising Model

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3.2
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
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Michael J Adams