Research on platform technologies for electronic-photonic integrated circuits based on III-V CMOS photonics

基于III-V CMOS光子学的电子光子集成电路平台技术研究

基本信息

批准号：
26709022
负责人：
Takenaka Mitsuru
金额：
$ 15.31万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter toward low-crosstalk switching

III-V/Si 混合 MOS 光学移相器实现低串扰开关

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Q. Li; S. Takagi;M. Takenaka
通讯作者：
M. Takenaka

III-V/SiハイブリッドMOS構造を用いた高効率光位相変調およびユニバーサル光集積回路への展開

III-V/Si混合MOS结构的高效光相位调制及其向通用光集成电路的发展

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
竹中充
通讯作者：
竹中充

Estimation of modulation efficiency enhancement using an InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator

使用 InGaAsP/Si 混合 MOS 光调制器提高调制效率的估计

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
J.;M. Takenaka
通讯作者：
M. Takenaka

Feasibility study of III-V/Si hybrid MOS optical modulators consisting of n-InGaAsP/Al2O3/p-Si MOS capacitor formed by wafer bonding

由晶圆键合形成的n-InGaAsP/Al2O3/p-Si MOS电容器组成的III-V/Si混合MOS光调制器的可行性研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Han; M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi

Ni-InGaAsP alloy for low-resistivity lateral PIN junction formation in carrier-injected InGaAsP photonic devices

用于载流子注入 InGaAsP 光子器件中低电阻率横向 PIN 结形成的 Ni-InGaAsP 合金

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
J.;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi

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Takenaka Mitsuru其他文献

Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits

用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台

DOI：
10.1149/10904.0047ecst
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Effects of impurity and composition profiles on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical tunnel field effect transistors

杂质和成分分布对GaAsSb/InGaAs异质结垂直隧道场效应晶体管电特性的影响

DOI：
10.1063/1.4993823
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Gotow Takahiro;Mitsuhara Manabu;Hoshi Takuya;Sugiyama Hiroki;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process

等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成

DOI：
10.1021/acsaelm.8b00071
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
4.7
作者：
Ke Mengnan;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

High-Q germanium optical nanocavity

高Q值锗光学纳米腔

DOI：
10.1364/prj.6.000925
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
7.6
作者：
Xiao Ting;Zhao Ziqiang;Zhou Wen;Takenaka Mitsuru;Tsang Hon Ki;Cheng Zhenzhou;Goda Keisuke
通讯作者：
Goda Keisuke

Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge2Sb2Te3S2

基于Ge2Sb2Te3S2</的低损耗非易失性中红外光学移相器的提出

DOI：
10.1109/ted.2023.3235865
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
3.1
作者：
Miyatake Yuto;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Okano Makoto;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru