Investigation of Electrical Conduction Mechanisms in Heavily Al-doped 4H-SiC for collector of SiC-IGBT
SiC-IGBT集电极用重掺铝4H-SiC导电机制研究
基本信息
- 批准号：23K03946
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
松浦 秀治其他文献
放電電流過渡分光法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価
使用放电电流瞬态光谱法评估高纯度半绝缘 4H-SiC 的缺陷
- DOI：
- 发表时间：
2007 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
高橋 美雪;松浦 秀治 - 通讯作者：
松浦 秀治
Fluorine Determination in Bone Using an Ion-Selective Electrode
使用离子选择电极测定骨中的氟
- DOI：
- 发表时间：
1991-03-01 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
松浦 秀治 - 通讯作者：
松浦 秀治
200keV電子線照射実験からのAl-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタの起源の考察
200keV电子束辐照实验探讨Al掺杂4H-SiC外延薄膜深受主起源
- DOI：
- 发表时间：
2007 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
蓑原 伸正; 稲川 祐介; 高橋 美雪;松浦 秀治; 大島 武; 伊藤 久義 - 通讯作者：
伊藤 久義
松浦 秀治的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('松浦 秀治', 18)}}的其他基金
トリニール出土ジャワ原人第1頭蓋と大腿骨の同時代性に関する化石基礎資料の化学分析
对特里尼尔出土的爪哇人第一块头骨和股骨的同时代基础化石材料进行化学分析
- 批准号：
59740426 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
古人骨の化学的年代測定に関する基礎的研究
古人类骨骼化学测年的基础研究
- 批准号：
57540492 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
相似国自然基金
宽安全工作区低损耗IGBT机理与新结构研究
- 批准号：62304076
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
封装及老化所致热-力不均对压接式IGBT器件内部均流影响及其电磁辐射骚扰特性研究
- 批准号：52377001
- 批准年份：2023
- 资助金额：50 万元
- 项目类别：面上项目
基于数据驱动的碳化硅功率MOSFET和IGBT器件建模与仿真技术
- 批准号：62234010
- 批准年份：2022
- 资助金额：282 万元
- 项目类别：重点项目
基于微动损伤的压接型IGBT模块寿命预测方法研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：55 万元
- 项目类别：面上项目
基于热网络自然频率的多芯片并联IGBT模块不均匀热疲劳状态监测方法研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Extremely low energy loss bipolar power semiconductor device
极低能量损耗的双极功率半导体器件
- 批准号：
23K03795 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of High-Performance GRIP Metal Cold Plates for IGBT Cooling
开发用于 IGBT 冷却的高性能 GRIP 金属冷板
- 批准号：
578629-2022 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Alliance Grants
Development of High-Performance GRIP Metal Cold Plates for IGBT Cooling
开发用于 IGBT 冷却的高性能 GRIP 金属冷板
- 批准号：
578629-2022 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Alliance Grants
Construction of high-speed magnetic property evaluation system under inverter excitation for high-speed high-power density motor core
高速大功率密度电机铁芯逆变励磁高速磁性能评估系统构建
- 批准号：
20K04509 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Integrated Optical Sensor IGBT Module
集成光学传感器 IGBT 模块
- 批准号：
105900 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Collaborative R&D