Polytype Controlled SiC Single Crystal Grwoth
多型控制碳化硅单晶生长
基本信息
- 批准号：18H01891
- 负责人：
- 金额：$ 10.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Effect of Nitrogen / Aluminum on Silicon Carbide Poly-type Stability
氮/铝对碳化硅多型稳定性的影响
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shin;Frédéric Mercier
- 通讯作者：ric Mercier
Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability
氮和铝对碳化硅多型体稳定性的影响
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2019.04.018
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：S.Nishizawa;; F.Mercier
- 通讯作者：F.Mercier
Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test
研究未钳位电感开关测试期间并联 SiC MOSFET 可接受的击穿电压变化
- DOI：10.35848/1347-4065/abebc1
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Zaiqi Lou; Wataru Saito;Shin
- 通讯作者：Shin
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- 项目类别：面上项目
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