Development of Four-probe STM/AFM/STP and Atomic-scale Direct Observation of Electronic States, Atomic Structures and Electrical Transport

四探针STM/AFM/STP开发及原子尺度电子态、原子结构和电输运直接观测

• 批准号: 18H01867
• 负责人: Yamazaki Shiro
• 金额: $ 10.98万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01867/
• 关键词: 走査トンネル顕微鏡; 原子間力顕微鏡; 走査トンネル電位計; 原子スイッチ; 電気伝導; 表面; 薄膜; 分子; 電子物性; 電子輸送; 操作トンネル顕微鏡

项目成果

Manipulation of metal-insulator transition in VO2 thin films by using step-terrace orientations of TiO2(110) substrates

利用 TiO2(110) 基底的台阶取向操控 VO2 薄膜中的金属-绝缘体转变

• 发表时间: 2022
• 作者: Kyungmin Kim; Shingo Genchi; Shiro Yamazaki; Hidekazu Tanaka;Masayuki Abe
• 通讯作者: Masayuki Abe

Si(110)3x2-Bi表面の電子状態

Si(110)3x2-Bi 表面的电子态

• 发表时间: 2020
• 作者: 金野達;勝俣錬;木村彰博;中村玲雄;諸貫亮太;山崎詩郎;小澤健一;間瀬一彦;飯盛拓嗣;小森文夫;平山博之;中辻寛
• 通讯作者: 中辻寛

Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性

Cu(111) 上 h-BN 薄膜生长模式和电子态的层数依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: 山上剛史;四ツ谷壮一郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
• 通讯作者: 平山博之

Crystal orientation dependence of metal-insulator transition for VO2 microwires fabricated on TiO2(110) substrates with step and terrace structures

在具有台阶和平台结构的 TiO2(110) 基底上制造的 VO2 微线的金属-绝缘体转变的晶体取向依赖性

• 发表时间: 2022
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kyungmin Kim; Shingo Genchi; Shiro Yamazaki; Hidekazu Tanaka;Masayuki Abe
• 通讯作者: Masayuki Abe

Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化

Si(111)√3×√3-B衬底上低温沉积的超薄铋薄膜室温退火引起的结构变化

• 发表时间: 2019
• 作者: 長瀬謙太郎;山崎詩郎;中辻寛;平山博之
• 通讯作者: 平山博之