Development of phase transition type high speed organic transistor and flexible information device application

相变型高速有机晶体管开发及柔性信息器件应用

基本信息

  • 批准号:
    17H02760
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
相転移型トランジスタを目指したドナー-アクセプタ界面デバイスの作製
针对相变晶体管的施主-受主界面器件的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本 大樹;梶原 佳祐;岡田 悠悟;山内 博;貞光 雄一;橋本 雄太;酒井 正俊;工藤 一浩
  • 通讯作者:
    工藤 一浩
2端子4端子測定によるα-(BEDT-TTF)2I3相転移型トランジスタの動作解析
使用 2 端子和 4 端子测量对 α-(BEDT-TTF)2I3 相变晶体管进行操作分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊志嶺洋人;上田高寛;佐野照輝;岡田悠悟;山内 博;酒井正俊;工藤一浩
  • 通讯作者:
    工藤一浩
Pump-probe study of β’-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystal near antiferromagnetic transition
β’-(BEDT-TTF)(TCNQ)晶体近反铁磁转变的泵浦探针研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hirofumi Mino; Shiho Tokuda; Masatoshi Sakai
  • 通讯作者:
    Masatoshi Sakai
電子デバイス工学研究室
电子器件工程实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
TiO2絶縁膜を用いた高密度キャリア注入OFETの作製
使用TiO2绝缘膜制备高密度载流子注入OFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大吉優太;石井亮磨;岡田悠悟;酒井正俊;工藤一浩
  • 通讯作者:
    工藤一浩
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KUDO Kazuhiro其他文献

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    2007
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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