Development of a new module type switch using next generation semiconductors

使用下一代半导体开发新型模块型开关

基本信息

  • 批准号:
    17K06334
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
パワー半導体を用いたキッカー用パルス電源とイグナイトロン代替スイッチの開発
使用功率半导体开发起跳脉冲电源和点火管替代开关
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高柳 智弘;小野 礼人;植野 智晶;堀野 光喜;山本 風海;金正 倫計
  • 通讯作者:
    金正 倫計
Development of a new modular switch using a next-generation semiconductor
使用下一代半导体开发新型模块化交换机
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tomohiro TAKAYANAGI
  • 通讯作者:
    Tomohiro TAKAYANAGI
Development of a new modular switch using a next-generation semiconductor
使用下一代半导体开发新型模块化交换机
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tomohiro TAKAYANAGI
  • 通讯作者:
    Tomohiro TAKAYANAGI
SiC-MOSFET を用いた半導体スイッチ電源の開発
使用SiC-MOSFET的半导体开关电源的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高柳 智弘
  • 通讯作者:
    高柳 智弘
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者:
    Meifen CAO

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    $ 3.08万
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{{ showInfoDetail.title }}

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