Universal gate stack for 2D layered channel
适用于 2D 分层沟道的通用栅极堆叠
基本信息
- 批准号：16H04343
- 负责人：
- 金额：$ 10.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance
石墨烯场效应晶体管应用——从量子电容中提取石墨烯在晶体管结构中的电带结构
- DOI：10.1557/jmr.2016.366
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nagashio Kosuke
- 通讯作者：Nagashio Kosuke
"Interface engineering for 2D layered semiconductors"
“二维层状半导体的接口工程”
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nagashio
- 通讯作者：K. Nagashio
2D materials for nanoelectronics
用于纳米电子学的二维材料
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Toriumi; K. Nagashio
- 通讯作者：K. Nagashio
Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application
面向压电纳米发电机应用的二维 SnS 的制造和表面工程
- DOI：10.1557/adv.2018.404
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：Higashitarumizu Naoki;Kawamoto Hayami;Ueno Keiji;Nagashio Kosuke
- 通讯作者：Nagashio Kosuke
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Nagashio Kosuke其他文献
Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors
界面偶极子层对石墨烯场效应晶体管性能的影响
- DOI：
10.1016/j.carbon.2019.06.038 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：10.9
- 作者：
Nagamura Naoka;Fukidome Hirokazu;Nagashio Kosuke;Horiba Koji;Ide Takayuki;Funakubo Kazutoshi;Tashima Keiichiro;Toriumi Akira;Suemitsu Maki;Horn Karsten;Oshima Masaharu - 通讯作者：
Oshima Masaharu
Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS2
层间堆叠对双层 MoS2 中栅致载流子积累的影响
- DOI：
10.1021/acsaelm.0c00139 - 发表时间：
2020 - 期刊：
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- 作者：
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Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics
用于先进电子学的基于过渡金属二硫属化物的多层面内异质结构
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2023 - 期刊：
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- 作者：
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原子薄 MoS 2 FET 中的量子力学效应
- DOI：
10.1088/2053-1583/ab42c0 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：5.5
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Fang Nan;Nagashio Kosuke - 通讯作者：
Nagashio Kosuke
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了解 2D 异质结构 FET 的界面特性
- DOI：
10.1088/1361-6641/aba287 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Nagashio Kosuke - 通讯作者：
Nagashio Kosuke
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Nagashio Kosuke', 18)}}的其他基金
Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
展示新型二维材料在能量收集方面的压电特性
- 批准号：
19K21956 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
相似海外基金
人工レセプタを修飾した有機トランジスタ型ウェアラブル化学センサによるヒト血糖分析
使用人工受体修饰的有机晶体管可穿戴化学传感器进行人体血糖分析
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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24K08254 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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使用雾气 CVD 技术的 GaN 基 MOS 器件的栅极绝缘体沉积工艺
- 批准号：
23K03973 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
感光性絶縁膜を用いた有機CMOS増幅回路の高性能化と超柔軟生体センサへの応用
利用光敏绝缘薄膜提高有机CMOS放大器电路的性能并将其应用于超柔性生物传感器
- 批准号：
22KJ2170 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
バッテリーフリー・長寿命有機薄膜センサ回路の実現
实现无电池、长寿命有机薄膜传感器电路
- 批准号：
22KJ1737 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows