Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate

混合 CMOS，由玻璃基板上的四端 Poly-IV TFT 组成

基本信息

批准号：
16K06311
负责人：
Hara Akito
金额：
$ 3万
依托单位：
Tohoku Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06311/
关键词：
薄膜トランジスタ多結晶シリコン多結晶ゲルマニウム４端子ハイブリッドCMOS インバータ CMOS 多結晶ゲルマニウムスズ四端子ダブルゲート poly-Si TFT poly-Ge TFT ガラスシリコンゲルマニウム 4端子ハイブリッドＣＭＯＳ

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化

提高玻璃基板上多晶硅薄膜晶体管的性能和功能

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
原明人
通讯作者：
原明人

High-Kを利用した４端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用

使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
原明人;西口尚希
通讯作者：
西口尚希

300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT

300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
内海大樹; 原明人
通讯作者：
原明人

ガラス基板上の自己整合メタルダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ

玻璃基板上自对准金属双栅Cu-MIC多晶锗锡薄膜晶体管

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
西口尚希;内海弘樹;原明人
通讯作者：
原明人

自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討

采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
大澤弘樹;原明人（講演奨励賞受賞）
通讯作者：
原明人（講演奨励賞受賞）

DOI：
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通讯作者：
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