Synthesis of molybdenum silicide and development of the thermoelectric conversion devices using it

硅化钼的合成及其热电转换器件的开发

• 批准号: 15K06443
• 负责人: Yoshikado Shinzo
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Doshisha University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K06443/
• 关键词: 熱電変換素子; ゼーベック係数; メカニカルアロイング; 導電率; ホール効果; 伝導種の同定; エピタキシャル成長; Siの固容体; 2珪化モリブデン; 珪素添加; 高周波スパッタ法; ホール係数; 抵抗率の温度係数; ボールミルメカニカルアロイング; 抵抗率; 温度特性; 電気伝導機構; 新規組成; モリブデンシリサイド; 新規組成合成; 伝導機構; 遊星ボールミル装置

项目成果

MoSi2-Si 複合体薄膜の電気伝導機構

MoSi2-Si复合薄膜的导电机理

• 发表时间: 2016
• 作者: 下薗 宏祐; 木谷 遼介; 佐藤 祐喜; 吉門 進三
• 通讯作者: 吉門 進三

MoSi2-Si複合体薄膜の電気伝導機構

MoSi2-Si复合薄膜的导电机理

• 发表时间: 2016
• 作者: 下薗 宏祐;木谷 遼介;佐藤 祐喜;吉門 進三
• 通讯作者: 吉門 進三

メカニカルアロイング法を用いた鉄シリサイドの作製と評価に関する研究

机械合金化法硅化铁生产及评价研究

• 发表时间: 2017
• 作者: 伊藤 圭亮;黒田 寛;佐藤祐喜;吉門進三
• 通讯作者: 吉門進三

RFマグネトロンスパッタで成膜したMoSi2-Si複合体薄膜の電気的特性と結晶構造

射频磁控溅射沉积MoSi2-Si复合薄膜的电学性能和晶体结构

• 发表时间: 2018
• 作者: 谷本 峻吾;佐藤 祐喜;大鉢 忠;吉門 進三
• 通讯作者: 吉門 進三

MoSi2-Si複合体薄膜の電気伝導機構

MoSi2-Si复合薄膜的导电机理

• 发表时间: 2015
• 作者: 下薗 宏祐;木谷 遼介;佐藤 祐喜;吉門 進三
• 通讯作者: 吉門 進三