Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits
III-V 量子点激光器在硅光子电路上的集成
基本信息
- 批准号:15K06029
- 负责人:
- 金额:$ 3.16万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
PL emission of InP/GaInAs/InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode
自催化VLS模式生长的InP/GaInAs/InP核-多壳纳米线的PL发射
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Ogino; K. Asakura; T. Waho;K. Shimomura
- 通讯作者:K. Shimomura
Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate
亲水直接键合 InP/Si 衬底上生长的 GaInAsP/InP 激光二极管的键合温度依赖性
- DOI:10.7567/jjap.57.02bb04
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Aikawa; Y. Onuki; N. Hayasaka; T. Nishiyama; N. Kamada; X. Han; P. G;hi Kallarasan; K. Uchida; H. Sugiyama;K. Shimomura
- 通讯作者:K. Shimomura
Room-temperature operation of GaInAsP lasers epitaxially grown on wafer-bonded InP/Si substrate
在晶圆键合 InP/Si 衬底上外延生长的 GaInAsP 激光器的室温运行
- DOI:10.7567/apex.9.062701
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:K. Matsumoto; J. Kishikawa; T. Nishiyama; T. Kanke; Y. Onuki;K. Shimomura
- 通讯作者:K. Shimomura
直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討
直贴InP/Si衬底上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW激光器结构的研究
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:杉山滉一; 鎌田直樹; 大貫雄也; 韓旭; P. G;hi Kallarasan; 相川政輝; 早坂夏樹; 内田和希;下村和彦
- 通讯作者:下村和彦
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