Study on super wide band gap semiconductor toward fabrication of high power electric devices operating at high frequency

超宽带隙半导体应用于高频大功率电子器件的研究

• 批准号: 15K05990
• 负责人: OISHI Toshiyuki
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Saga University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05990/
• 关键词: 半導体物性; 電子デバイス・機器; エネルギー効率化; 電子・電気材料; デバイス設計・製造プロセス; ワイドバンドギャップ半導体; RF-DC変換; 高周波大電力; ダイヤモンド; 酸化ガリウム; レクテナ; デバイスモデル

项目成果

Conduction mechanism in highly doped β-Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes

边缘限定薄膜生长法生长的高掺杂β-Ga2O3（-201）单晶及其肖特基势垒二极管的导电机制

• DOI: 10.7567/jjap.55.030305
• 发表时间: 2016
• 影响因子: 1.5
• 作者: Toshiyuki Oishi; Kazuya Harada; Yuta Koga;Makoto Kasu
• 通讯作者: Makoto Kasu

佐賀大学 大学院研究科 電気電子工学専攻 大石研究室

佐贺大学研究生院电气电子工学科大石研究所

ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の高電圧動作

使用金刚石元件的整流天线电路的高压操作

• 发表时间: 2017
• 作者: 河野直士; 深見成; 桝谷聡士; 大島孝仁; 嘉数誠; 大石敏之
• 通讯作者: 大石敏之

NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討

NO2 空穴掺杂氢端金刚石 MOS FET 直流应力劣化机制研究

• 发表时间: 2017
• 作者: 舟木 浩祐;石松 裕真;桝谷 聡士;宮崎 恭輔;大島 孝仁;嘉数 誠;大石 敏之
• 通讯作者: 大石 敏之

ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製

使用金刚石元件制作整流天线电路

• 发表时间: 2016
• 作者: 河野 直士; 大石 敏之; 嘉数 誠
• 通讯作者: 嘉数 誠