Coherent control of nuclear spin using spin injection into semiconductor for application to quntum information devices

利用自旋注入半导体对核自旋进行相干控制，应用于量子信息器件

• 批准号: 25286039
• 负责人: UEMURA TETSUYA
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286039/
• 关键词: 半導体スピン注入; 核スピン; ハーフメタル; 半導体; 量子ビット; 量子ゲート

项目成果

University of Wisconsin-Madison(米国)

威斯康星大学麦迪逊分校（美国）

ホイスラー合金のハーフメタル特性に対する非化学量的組成の影響とMTJのTMR特性

非化学计量成分对Heusler合金半金属性能及MTJ TMR性能的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: M. Jo;T. Uchida;A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;A. Fujiwara;Y. Ono;K. Nishiguchi;H. Inokawa;Y. Takahashi;山本眞史，植村哲也
• 通讯作者: 山本眞史，植村哲也

Temperature dependence of spin-dependent tunneling conductance for parallel configuration of Co2MnSi MTJs with high spin polarization

高自旋极化 Co2MnSi MTJ 平行配置的自旋相关隧道电导的温度依赖性

• 发表时间: 2015
• 作者: Bing Hu;Kidist Moges;Hongxi Liu;Yusuke Honda;Tetsuya Uemura;and Masafumi Yamamoto
• 通讯作者: and Masafumi Yamamoto

Transient analysis of oblique Hanle signals observed in GaAs based on a time evolution of nuclear spin temperature

基于核自旋温度随时间演化的 GaAs 中观测到的斜汉勒信号的瞬态分析

• 发表时间: 2015
• 作者: Zhichao Lin;Mahmoud Rasly;Masafumi Yamamoto;and Tetsuya Uemura
• 通讯作者: and Tetsuya Uemura

Highly efficient gate control of spin signals in GaAs

GaAs 中自旋信号的高效栅极控制

• 发表时间: 2015
• 作者: T. Miyakawa;T. Akiho. Y. Ebina;M. Yamamoto;T. Uemura
• 通讯作者: T. Uemura