Low temperature crystallization of Si by metal-induced crystallization method
金属诱导晶化法低温晶化硅
基本信息
- 批准号：25289231
- 负责人：
- 金额：$ 12.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ag/mica上に蒸着したSiの影響によるAgの構造変化(II)
由于沉积在 Ag/云母上的 Si 的影响而导致 Ag 的结构变化 (II)
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋口 浩平;若林 陽介;稲瀬 陽介;神子 公男;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
Ge 結晶薄膜の低温合成： フレキシブルデバイスへの 応用を目指して
低温合成Ge晶体薄膜：旨在应用于柔性器件
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Matsunaga;M.-S. Kim;H. Nishikawa;M. Saito and J. Mizuno;M.Kamiko,R.Suenaga,J.W.Koo,K.Kyuno,Y.Mitsuda,J.G.Ha;K. Yamaura;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
AuによるGeのMIC法における熱処理温度および膜厚依存性
使用 Au 的 Ge 的 MIC 方法中的热处理温度和膜厚依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：末永 容平;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
Au,Ge同時スパッタ法による結晶化Ge薄膜の作製
Au、Ge同步溅射法制备晶化Ge薄膜
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三芝 直也;杉山 貴俊;神子 公男;弓野 健太郎
- 通讯作者：弓野 健太郎
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- 批准号：
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$ 12.15万 - 项目类别：
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