Research on integrated two-wavelength semiconductor laser for frequency tunable coherent terahertz wave generation
集成双波长半导体激光器产生频率可调谐相干太赫兹波的研究
基本信息
- 批准号:26390083
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ
GaAsP 应变量子阱高耦合深蚀刻 DBR 激光器
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山下諒大;上向井正裕;片山竜二
- 通讯作者:片山竜二
Fイオン注入と熱処理によるGaAsP歪量子井戸選択的無秩序化を用いた導波光伝搬損失低減
通过 F 离子注入和热处理,利用 GaAsP 应变量子阱选择性无序减少波导光学传播损耗
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:奥田真也;上向井正裕;栖原敏明
- 通讯作者:栖原敏明
ITO薄膜ヒータ装荷GaAsP歪量子井戸波長可変分布ブラッグ反射型レーザ
负载ITO薄膜加热器的GaAsP应变量子阱波长可调谐分布式布拉格反射激光器
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:上向井正裕;吉川靖人;栖原敏明
- 通讯作者:栖原敏明
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks
边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响
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- 影响因子:1.5
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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Katayama Ryuji
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- 影响因子:1.5
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KATAYAMA Ryuji
Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser
飞秒激光器泵浦 GaN 横向准相位匹配波导中的二次谐波产生
- DOI:
10.35848/1882-0786/ac9511 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Yokoyama Naoki;Morioka Yoshiki;Murata Tomotaka;Honda Hiroto;Serita Kazunori;Murakami Hironaru;Tonouchi Masayoshi;Tokita Shigeki;Ichikawa Shuhei;Fujiwara Yasufumi;Hikosaka Toshiki;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji - 通讯作者:
Katayama Ryuji
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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23K26572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
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- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
量子集積デバイス実現に向けたSiCの単一光子源探索と学理構築
实现量子集成器件的SiC单光子源探索与理论构建
- 批准号:
23KJ1501 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
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