Study on optical short-pulse generation from intensely excited gain-switched semiconductor lasers

强激励增益开关半导体激光器产生光学短脉冲的研究

• 批准号: 26390075
• 负责人: YOSHITA MASAHIRO
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2016)The University of Tokyo (2014-2015)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26390075/
• 关键词: 半導体レーザー; 利得スイッチング動作; 超短パルス; 光エレクトロニクス; 光学非線形効果; 光源技術; 長短パルス; 半導体レーザ; 超短光パルス

项目成果

マルチセクション半導体レーザーの作製評価と光短パルス発生

多段半导体激光器和短光脉冲产生的制造评估

• 发表时间: 2015
• 作者: 中村考宏;伊藤隆;中前秀一;金昌秀;挾間優治;吉田正裕;大里啓孝;秋山英文;Peter Vasil'ev
• 通讯作者: Peter Vasil'ev

利得スイッチGaAsバルクレーザーの高密度領域における光インパルス応答特性

高密度区增益开关GaAs体激光器的光脉冲响应特性

• 发表时间: 2014
• 作者: 伊藤隆;中前秀一;陳少強;吉田正裕;望月敏光;金昌秀;小林洋平;秋山英文
• 通讯作者: 秋山英文

マルチセクション半導体レーザーにおける利得と吸収の非線形競合による短パルス光発生

多节半导体激光器中增益和吸收之间的非线性竞争产生短脉冲光

• 发表时间: 2016
• 作者: 中村考宏;伊藤隆;中前秀一;金昌秀;挾間優治;吉田正裕;大里啓孝;秋山英文;Peter Vasil'ev
• 通讯作者: Peter Vasil'ev

Calibration standards and measurement accuracy of absolute electroluminescence and internal properties in multi-junction and arrayed solar cells

• DOI: 10.1117/12.2211726
• 发表时间: 2016-03
• 作者: M. Yoshita;Lin Zhu;Changsu Kim;T. Mochizuki;Tetsuya Nakamura;M. Imaizumi;Shaoqiang Chen;Hidehiro Kubota;Y. Kanemitsu;H. Akiyama

Current leakage and fill factor in multi-junction solar cells linked via absolute electroluminescence characterization

• DOI: 10.1109/pvsc.2016.7749812
• 发表时间: 2016-06
• 期刊: 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
• 作者: Lin Zhu;M. Yoshita;Tetsuya Nakamura;T. Mochizuki;Changsu Kim;M. Imaizumi;Y. Kanemitsu;H. Akiyama